这些光电二极管在400 nm至1100 nm波长范围内表现良好，具有增强的红外响应，使其成为1064 nm探测应用的理想选择。bob投注体育信赖吗
保护环收集活动区域外产生的电流，确保电流不会产生噪音。
由于其大的有效面积，该装置是有用的获取位置信息，无论是从集中和散焦点在脉冲或连续波模式。
主要特点和优点：
- 1064nm高量子效率
- 包装形式：密封TO-5罐
- 提供N型和P型配置
- 有效直径（mm）：5.1
有效直径（mm）：5.1
每个元件的有效面积（mm²）：20
每象限典型电容（pF）：12
900 nm（A/W）下的典型响应度：0.60
1064nm（A/W）下的典型响应度：0.44
-AR后缀（A/W）在1064nm处的典型响应度：0.47
典型上升时间，50Ω负载（ns）：12
最大工作电压（V）：180
最小击穿电压（V）：200
典型电容（pF）：6
典型暗电流（nA）：25
最大暗电流（nA）：100
典型噪声电流（pA/√赫兹）：0.09
1064 nm（pW）处的噪声等效功率（NEP）/√赫兹）：0.13
包装：TO-8定制
储存温度范围（℃）：-55至125
工作温度范围（℃）：-55至125
有效直径（mm）：5.1
每个元件的有效面积（mm²）：20
每象限典型电容（pF）：12
900 nm（A/W）下的典型响应度：0.60
1064nm（A/W）下的典型响应度：0.44
-AR后缀（A/W）在1064nm处的典型响应度：0.47
典型上升时间，50Ω负载（ns）：12
最大工作电压（V）：180
最小击穿电压（V）：200
典型电容（pF）：6
典型暗电流（nA）：25
最大暗电流（nA）：100
典型噪声电流（pA/√赫兹）：0.09
1064 nm（pW）处的噪声等效功率（NEP）/√赫兹）：0.13
包装：TO-8定制
储存温度范围（℃）：-55至125
工作温度范围（℃）：-55至125