Excelitas IR Emitting Diodes
part / vte1013h.

VTE1013H-IRED,至-46封装,30mW,光束角±35°

VTE1013H是一个940nm红外发射二极管(IRED),在密封至46封装中。这款机器提供了30兆瓦的输出功率和宽光束角±35°。

该940 NM IRED采用大面积GaAs芯片,具有双重线路,用于高电流CW-和脉冲操作,操作温度为-40至125°C。

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峰值波长:940 nm

总峰值功率:30 MW

半功率光束角:±35°

CW和脉冲操作

工作温度-40至125°C

峰值波长:940 nm

总峰值功率:30 MW

半功率光束角:±35°

CW和脉冲操作

工作温度-40至125°C

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