This UV-Enhanced silicon photodiode provides a 37.7 mm2有效区域和200nm和1100nm之间的最佳光谱响应。
N硅平面光电二极管上的这一系列P一直设计用于通过UV和光谱的可见部分的最佳响应。这些光电二极管主要用于光伏模式，但可以与小反向偏置一起使用。它们还被设计用于具有非常高的分流电阻，这是在高增益跨阻抗OP-AMP电路中使用时导致低偏移的特性。
特点与优势：
- UV接近IR光谱范围
- 1%-2% linearity over 7 to 9 decades
- 非常低的暗电流，具有非常高的分流抗性
- RoHS compliant
bob投注体育信赖吗应用程序：
- 紫外线和蓝光感应
- Light meters
- Flame monitoring
- Photometry
有源区= 37.7毫米2
短路电流=在100 fc，2850 k下最小260μA
暗电流= 2 V反向偏置的最多2NA
Junction Capacitance = Typical 8 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 200 nm to 1100 nm
Peak Spectral Response = 920 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.5 A/W
Sensitivity at 365 nm = Typical 0.1 A/W
220nm =最小值0.04 a / w的灵敏度
角度响应= 50％反应下的±55度
有源区= 37.7毫米2
短路电流=在100 fc，2850 k下最小260μA
暗电流= 2 V反向偏置的最多2NA
Junction Capacitance = Typical 8 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 200 nm to 1100 nm
Peak Spectral Response = 920 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.5 A/W
Sensitivity at 365 nm = Typical 0.1 A/W
220nm =最小值0.04 a / w的灵敏度
角度响应= 50％反应下的±55度