C86119EH设备采用了MOCVD生长的张力InGaAs/AlGaAs层，提供高效率、低阈值和连续的波长调谐，约0.3 nm/ icb C，以确保在1064 nm的精确控制。
使用10/32螺纹同轴螺柱包与一个密封的窗口帽或可选，可移动的临时窗口，随时访问激光面。
- 1064纳米操作
- 温度可调
- 1瓦峰值输出功率窗口
- 操作到200 ns脉冲持续时间和5 kHz重复率
源大小(裁减m): 2 x 100
光束在与结平行的平面上传播(度):4.5
光束在平面法线到结(度)的传播:38
在iF max (mW)时的最小总峰值辐射通量:1000
正向峰值电流，iFM (A): 4
典型的正向电压降iF max (V): 2.5
iF max (V)时最大正向电压降:3.0
阈值电流，iTH (A): 0.25
典型上升时间，tr (ns):小于1
最大正向峰值电流，iFM (A): 4
最大反向峰值电压，VRM (V): 2
最大脉冲持续时间tW (ns): 200
最大占空比，du (%): 0.1
储存温度(℃):-55 - 125
工作温度(℃):-55到125
源大小(裁减m): 2 x 100
光束在与结平行的平面上传播(度):4.5
光束在平面法线到结(度)的传播:38
在iF max (mW)时的最小总峰值辐射通量:1000
正向峰值电流，iFM (A): 4
典型的正向电压降iF max (V): 2.5
iF max (V)时最大正向电压降:3.0
阈值电流，iTH (A): 0.25
典型上升时间，tr (ns):小于1
最大正向峰值电流，iFM (A): 4
最大反向峰值电压，VRM (V): 2
最大脉冲持续时间tW (ns): 200
最大占空比，du (%): 0.1
储存温度(℃):-55 - 125
工作温度(℃):-55到125