900 nm enhanced without undesirable properties."> C30955EH-Si APD,1.5mm,TO-5组件|卓越 - bob手机版网页,BOBapp体育下载,bob投注体育信赖吗
Excelitas C30955EH硅APD
零件编号/C30955EH

C30955EH-Si APD,1.5mm,TO-5封装

C30955EH长波增强型硅雪崩光电二极管(APD)在1060 nm处提供1.5 mm的有源区直径和高量子效率。该硅APD采用TO-5封装设计,采用双扩散“直通”结构。其>900 nm的长波响应已得到增强,且未引入任何不良特性。

特点和优点:

  • 有效直径1.5毫米
  • 1060nm的高量子效率
  • 快速响应时间
  • 宽工作温度范围
  • 低电容
  • 密封包装
  • 符合RoHS标准
  • TEC选项可用

bob投注体育信赖吗应用:

  • 测距
  • 激光雷达
  • YAG激光探测

有效面积:1.77平方毫米
有效直径:1.5毫米
击穿电压:>315390,<490 V
电容:3pF
暗电流:100nA
增益:100
噪声电流:1帕/√赫兹
包装:TO-5
峰值灵敏度波长:900 nm
响应度:

  • 在900纳米处为70 A/W,
  • 在1050 nm处为34 A/W,
  • 1150 nm时为5 A/W

上升/下降时间:2ns
温度系数:2.4 V/°C
Vop范围:275-450 V
波长:400-1100纳米

有效面积:1.77平方毫米
有效直径:1.5毫米
击穿电压:>315390,<490 V
电容:3pF
暗电流:100nA
增益:100
噪声电流:1帕/√赫兹
包装:TO-5
峰值灵敏度波长:900 nm
响应度:

  • 在900纳米处为70 A/W,
  • 在1050 nm处为34 A/W,
  • 1150 nm时为5 A/W

上升/下降时间:2ns
温度系数:2.4 V/°C
Vop范围:275-450 V
波长:400-1100纳米

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