The C30927 series are quadrant silicon avalanche photodiodes, useful in a variety of tracking and alignment applications.
paRT/ C30927EH-02

C30927EH-02 SI APD象限 - 1.5mm - 900nm

C30927EH-02象限硅雪崩光电二极管，其有用直径为1.55毫米，具有双扩散的“达到的”结构。象限结构具有普通的雪崩结，分离通过与结相反的光进入P +表面进行的偏振分离。通过这种设计，元件之间没有死区，因此在触觉上没有响应的损失。C30927EH-02优化以在900nm处运行，在特定波长的约50nm内操作时提供高响应度和优异性能。

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Key Features:

  • 完全照明的光敏表面的全角度大于90º
  • 高量子效率优化为900 nm操作
  • Fast Time Response
  • 大型活跃面积：1.77mm²
  • 密封的低轮廓至-8包装

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  • 追踪
  • 结盟
  • "Friend or Foe" identification

击穿电压范围（v）：350至485

Typical breakdown voltage (V): 425

典型增益（m）：100

Typical Temperature Coefficient for constant gain (V/℃): 2.4

900 nm（a / w）的最小响应度：50

900nm（A / W）的典型响应度：62

Typical total dark current (nA): 100

Maximal total dark current (nA): 200

Typical noise current per element (pA/√Hz): 1.0

Maximal noise current per element (pA/√Hz): 1.5

Typical capacitance total of all quadrants (pF): 3

所有象限的最大电容（PF）：5

Maximal series resistance (Ω): 15

典型的上升和下降时间（NS）：3

储存温度（℃）：-60至120

Operating temperature (℃): -40 to 60

击穿电压范围（v）：350至485

Typical breakdown voltage (V): 425

典型增益（m）：100

Typical Temperature Coefficient for constant gain (V/℃): 2.4

900 nm（a / w）的最小响应度：50

900nm（A / W）的典型响应度：62

Typical total dark current (nA): 100

Maximal total dark current (nA): 200

Typical noise current per element (pA/√Hz): 1.0

Maximal noise current per element (pA/√Hz): 1.5

Typical capacitance total of all quadrants (pF): 3

所有象限的最大电容（PF）：5

Maximal series resistance (Ω): 15

典型的上升和下降时间（NS）：3

储存温度（℃）：-60至120

Operating temperature (℃): -40 to 60

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