The C30927 series are quadrant silicon avalanche photodiodes, useful in a variety of tracking and alignment applications.
paRT/ C30927EH-01

C30927EH-01 - Si APD Quadrant - 1.5 mm - 1060 nm

具有1.55mm有用直径的C30927EH-01象限硅雪崩光电二极管具有双扩散的“达到的”结构。

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C30927eh-01的象限结构具有常见的雪崩结，通过分割通过结合结的光入口P +表面进行的象限分离。通过这种设计，元素之间没有死区，因此在绝经中没有响应损失。

C30927EH-01优化以在1064nm处运行，在特定波长的约50nm内操作时提供高响应度和优异性能。

主要特点和优点：

  • Full Angle for totally illuminated photosensitive surface greater than 90º
  • High Quantum Efficiency optimized for YAG wavelength
  • Fast Time Response
  • Large Active Area: 1.77 mm2
  • 密封的低轮廓至-8包装

击穿电压范围（v）：350至485
Typical breakdown voltage (V): 425
典型增益（m）：100
Typical Temperature Coefficient for constant gain (V/℃): 2.4
1060nm（a / w）的最小响应度：12
1060nm（a / w）的典型响应度：15
Typical total dark current (nA): 100
Maximal total dark current (nA): 200
Typical noise current per element (pA/√Hz): 1.0
Maximal noise current per element (pA/√Hz): 1.5
Typical capacitance total of all quadrants (pF): 3
所有象限的最大电容（PF）：5
Maximal series resistance (Ω): 15
典型的上升和下降时间（NS）：3

储存温度（℃）：-60至120
Operating temperature (℃): -40 to 60

击穿电压范围（v）：350至485
Typical breakdown voltage (V): 425
典型增益（m）：100
Typical Temperature Coefficient for constant gain (V/℃): 2.4
1060nm（a / w）的最小响应度：12
1060nm（a / w）的典型响应度：15
Typical total dark current (nA): 100
Maximal total dark current (nA): 200
Typical noise current per element (pA/√Hz): 1.0
Maximal noise current per element (pA/√Hz): 1.5
Typical capacitance total of all quadrants (pF): 3
所有象限的最大电容（PF）：5
Maximal series resistance (Ω): 15
典型的上升和下降时间（NS）：3

储存温度（℃）：-60至120
Operating temperature (℃): -40 to 60

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