Excelitas C30884EH硅APD
部分/ C30884EH

Si APD, 1mm, TO-5

C30884EH硅雪崩光电二极管(Si APD)提供非常高的调制能力,高响应和快速上升和下降时间。由于下降时间特性没有“尾”,器件的响应与调制频率无关,最高可达400mhz左右。这种硅APD采用双扩散“穿透”结构,并在波长小于1000 nm时进行了优化,具有高响应性。

C30884EH是密封在一个平坦的玻璃窗后,在一个改进的低调的TO-5包装。

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  • 光通信
  • 激光测距
  • 高速开关系统

高量子效率:

  • 在900 nm处,典型值为85%
  • 10%在1060 nm处

光谱响应范围-(10%点)400至1100 nm

快时间响应:

  • 上升时间:1ns
  • 下降时间:1 ns

宽工作温度范围:-40°C至70°C

密封低调的TO-5包装

高量子效率:

  • 在900 nm处,典型值为85%
  • 10%在1060 nm处

光谱响应范围-(10%点)400至1100 nm

快时间响应:

  • 上升时间:1ns
  • 下降时间:1 ns

宽工作温度范围:-40°C至70°C

密封低调的TO-5包装

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