Excelitas C39737ph硅APD在FR4 LLC封装中
部分/ C30737MH-230-90N

C30737MH-230-90N - SI APD,230UM,LLC,900NM增强

C30737MH-230-90N硅雪崩光电二极管(SI APD)提供230μm的有源直径,并在无引线层压载体(LLC)中增强了900nm的响应。

主要特点:

  • 500到1000 nm之间的高响应度
  • 在所有波长的低噪声和极快的上升时间,频率响应高于380 MHz
  • 主动直径为230μm,优化900nm峰灵敏度
  • 无侵入式层压载体选项“MH”

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主动直径:230μm
峰灵敏度波长:900 nm
击穿电压VBD:180-260(烧结可用)
VOP温度系数M:1.3 V /°C
收益:100 @ 900 nm
响应度:900nm的60 a / w
暗电流ID:0.05 <0.5 NA
噪声电流:0.1 PA /√Hz
电容:0.6 PF
上升/下降时间:0.9 ns r load =50Ω
截止频率:380 MHz
存储温度:-50°C至+ 100°C
操作温度:-40°C至+ 85°C
包装:2x1.75mm顶部查看FR4环氧树脂,无侵扰夹层载体(LLC)

主动直径:230μm
峰灵敏度波长:900 nm
击穿电压VBD:180-260(烧结可用)
VOP温度系数M:1.3 V /°C
收益:100 @ 900 nm
响应度:900nm的60 a / w
暗电流ID:0.05 <0.5 NA
噪声电流:0.1 PA /√Hz
电容:0.6 PF
上升/下降时间:0.9 ns r load =50Ω
截止频率:380 MHz
存储温度:-50°C至+ 100°C
操作温度:-40°C至+ 85°C
包装:2x1.75mm顶部查看FR4环氧树脂,无侵扰夹层载体(LLC)

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