C39737LH硅APD在LLC FR4侧面封装
部分/ C30737CH-300-70

C30737CH-300-70 - SI APD,300UM,LLC侧面看

C30737CH-300-70硅雪崩光电二极管(SI APD)提供300μm的有源直径,在无敞开的层压载体(LCC)中具有增强的800nm响应。

主要特点:

  • 500到1000 nm之间的高响应度
  • 在所有波长的低噪声和极快的上升时间,频率响应高于700 MHz
  • 主动直径为300μm,优化800nm响应
  • 具有选项“CH”的无侵扰层压载体

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主动直径:300μm
峰灵敏度波长:800 nm
击穿电压VBD:110-160
收益:100 @ 800 nm
响应度:35a / w 635 nm
暗电流:1 na
噪声电流:0.2 PA /√Hz
电容:0.7 PF
截止频率:700 MHz
存储温度:-20°C至+ 70°C
操作温度:-10°C至+ 50°C
包装:2x4mm fr4环氧侧外观无引起胶合载体

主动直径:300μm
峰灵敏度波长:800 nm
击穿电压VBD:110-160
收益:100 @ 800 nm
响应度:35a / w 635 nm
暗电流:1 na
噪声电流:0.2 PA /√Hz
电容:0.7 PF
截止频率:700 MHz
存储温度:-20°C至+ 70°C
操作温度:-10°C至+ 50°C
包装:2x4mm fr4环氧侧外观无引起胶合载体

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