excelitas.C30659 Series of InGaAs APD Receivers
paRT/ C30659-1550E-R08BH

C30659-1550E-R08BH - IngaAs APD接收器,80UM,至8,200MHz,高损伤阈值

INGAAS APD接收器的C30659系列包括硅(Si)或InGaAS雪崩光电二极管(APD),其在相同的气密密封到-8封装中,以允许超低噪声操作。我们的C30659-1550E-R08BH设备包括C30645EH InGaAS APD,在1550nm处优化。

The C30659 Series features an inverting amplifier design with an emitter follower used as an output buffer stage.

这些装置中使用的SI APD与Excelitas的C30817EH,C30902EH,C30954EH和C30956EH产品中使用的SI APDS相同,而InGaAs APD可用于C30645EH和C30662EH产品。BOBapp体育下载这些探测器在830和1550nm之间提供了非常好的响应,并且在所有波长上都非常快速地升起和落后。该模块的前置放大器部分使用非常低的噪声GaAs FET前端,该前端旨在以比我们标准的C30950系列更高的跨阻抗操作。

  • System bandwidth: 200 MHz
  • Ultra low noise equivalent power (NEP)
    • 250 fW/√Hz at 1300 nm
    • 220 fW/√Hz at 1550 nm
  • 光谱响应范围:1550 nm的峰值
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50Ω交流负载能力(交流耦合)
  • Hermetically-sealed TO-8 package
  • 高可靠性
  • System bandwidth: 200 MHz
  • Ultra low noise equivalent power (NEP)
    • 250 fW/√Hz at 1300 nm
    • 220 fW/√Hz at 1550 nm
  • 光谱响应范围:1550 nm的峰值
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50Ω交流负载能力(交流耦合)
  • Hermetically-sealed TO-8 package
  • 高可靠性
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