大面积紫外线增强型光电二极管

大面积C30626FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD）尺寸为4.7 x 4.7 mm，采用扁平封装，可直接探测或与闪烁晶体轻松耦合。

C30703FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD）尺寸为10 mm x 10 mm，设计用于超大面积，并采用适合辐射探测的扁平封装。Si-APD C30703增强了蓝色波长响应，在~530nm处具有峰值量子效率。

C30703FH-200硅雪崩光电二极管（Si APD）尺寸为10 mm x 10 mm，设计用于超大面积，并采用适合辐射探测的扁平封装。c30703siapd的蓝光响应增强，峰值量子效率约为530nm。

C30739ECERH短波长增强型硅雪崩光电二极管（Si APD）的光谱范围从小于400 nm到大于700 nm。该器件具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应，量子效率在430nm处达到70%以上，适用于分子成像等微光级应用。它的陶瓷载体包可以很容易地处理和耦合到闪烁晶体，如LSO和BGO。bob投注体育信赖吗

C30739ECERH-2短波长增强型硅雪崩光电二极管（Si APD）的光谱范围从小于400 nm到大于700 nm。该器件具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应，量子效率在430nm处达到70%以上，适用于分子成像等微光级应用。它的陶瓷载体包可以很容易地处理和耦合到闪烁晶体，如LSO和BGO。bob投注体育信赖吗