掺钕钇铝石榴石- 555 - 4联赛Quadranten-Photodioden Si销- 14,1毫米
死Silizium PIN-Detektoren der掺钕钇铝石榴石联赛信德hochleistungsfahige N -奥得河P-Typ Si PIN-Photodioden在hermetischen TO-Gehausen。
这Photodioden信德hochempfindlich im Wellenlangenbereich冯400 nm bis 1100海里麻省理工学院optimierter Empfindlichkeit毛皮Anwendungen贝1064海里。
静脉Schutzring sammelt窝斯特罗姆,der außerhalb der aktiven基地erzeugt将,这位斯特罗姆das Rauschen该死不verstarkt。
Aufgrund der großen基地,是死光电二极管geeignet嗯sowohl冯fokussierten als欧什·冯·defokussierten斑点im gepulsten奥得河im连续波方法来自verschiedenen Positionen beleuchtet祖茂堂了。
Hauptmerkmale:
- Hohe Quantenausbeute贝1064海里
- 来Elementen Ubersprechen < 1%
- Keine„Totbereiche”说是Quadranten (P-Typ)
- Gehauseart: hermetisch abgedichtetes TO-Gehause
- Verfugbar N -麻省理工学院和P-Typ-Anordnung可选Heizung Antireflexbeschichtung
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Anzahl der Elemente: 4
Aktiver Durchmesser(毫米):14日1
²Aktive基地,支持元素(毫米):39
Typische Kapazitat pro象限(pF): 12
Typische Empfindlichkeit贝900海里(A / W): 0, 60
Typische Empfindlichkeit贝1064海里(A / W): 0, 44岁
Typische Empfindlichkeit贝1064海里毛皮ar和arh (A / W): 0, 47岁
Typische Anstiegszeit 50ΩLastwiderstand (ns): 12
Maximale Betriebsspannung (V): 180
Minimale Durchbruchspannung (V): 200
Typische Kapazitat pro元素(pF): 9
Maximale Kapazitat pro元素(pF): 20
Typischer Dunkelstrom pro元素(nA): 50
最大Dunkelstrom pro元素贝(nA): 150
(pA / Typischer Rauschstrom pro元素√20 Hz): 0,
Rauschaquivalente Leistung (NEP)贝900海里(pW / pro元素√赫兹):0,25岁
Rauschaquivalente Leistung (NEP)贝1064海里(pW / pro元素√30 Hz): 0,
Heizkorperwiderstand贝25℃(h后缀)(kΩ):10±2
Spitzenleistung des Heizkorpers(后缀- h) (W): 16岁,1
Maximale Gleichstromspannung des Heizkorpers(后缀- h) (V): 24
Gehause: individuell angepasstes 36
Lagerungs-Temperaturbereich(℃): -55国际清算银行125
Betriebstemperaturbereich(℃): -55国际清算银行125
Betriebstemperaturbereich皮毛- h(℃): -40国际清算银行85
Maximale Spannung des Heizkorpers (V): 12
Anzahl der Elemente: 4
Aktiver Durchmesser(毫米):14日1
²Aktive基地,支持元素(毫米):39
Typische Kapazitat pro象限(pF): 12
Typische Empfindlichkeit贝900海里(A / W): 0, 60
Typische Empfindlichkeit贝1064海里(A / W): 0, 44岁
Typische Empfindlichkeit贝1064海里毛皮ar和arh (A / W): 0, 47岁
Typische Anstiegszeit 50ΩLastwiderstand (ns): 12
Maximale Betriebsspannung (V): 180
Minimale Durchbruchspannung (V): 200
Typische Kapazitat pro元素(pF): 9
Maximale Kapazitat pro元素(pF): 20
Typischer Dunkelstrom pro元素(nA): 50
最大Dunkelstrom pro元素贝(nA): 150
(pA / Typischer Rauschstrom pro元素√20 Hz): 0,
Rauschaquivalente Leistung (NEP)贝900海里(pW / pro元素√赫兹):0,25岁
Rauschaquivalente Leistung (NEP)贝1064海里(pW / pro元素√30 Hz): 0,
Heizkorperwiderstand贝25℃(h后缀)(kΩ):10±2
Spitzenleistung des Heizkorpers(后缀- h) (W): 16岁,1
Maximale Gleichstromspannung des Heizkorpers(后缀- h) (V): 24
Gehause: individuell angepasstes 36
Lagerungs-Temperaturbereich(℃): -55国际清算银行125
Betriebstemperaturbereich(℃): -55国际清算银行125
Betriebstemperaturbereich皮毛- h(℃): -40国际清算银行85
Maximale Spannung des Heizkorpers (V): 12