掺钕钇铝石榴石- 444 - Si销- 11日3毫米
死掺钕钇铝石榴石联赛一个Silizium PIN-Detektoren冯Excelitas技术信德hochleistungsfahige N -奥得河P-Typ-Si PIN-Photodioden在hermetischen TO-Gehausen。
这Photodioden信德hochempfindlich im Wellenlangenbereich冯400 nm bis 1100海里麻省理工学院optimierter Empfindlichkeit毛皮Anwendungen贝1064海里。
静脉Schutzring sammelt窝斯特罗姆,der außerhalb der aktiven基地erzeugt将,这位斯特罗姆das Rauschen该死不verstarkt。
Aufgrund der großen基地,是死光电二极管geeignet嗯sowohl冯fokussierten als欧什·冯·defokussierten斑点im gepulsten奥得河im连续波方法来自verschiedenen Positionen beleuchtet祖茂堂了。
Wichtige Eigenschaften和Vorteile:
- Hohe Quantenausbeute贝1064海里
- Gehauseart: hermetisches 5 Gehause
- Verfugbar als N -、P-Typ二极管
- Aktiver Durchmesser(毫米):11日3
Aktiver Durchmesser(毫米):11日3
²Aktive基地(毫米):100
Typische Gesamtkapazitat (pF): 35
Typische Empfindlichkeit贝900海里(A / W): 0, 60
Typische Empfindlichkeit贝1064海里(A / W): 0, 44岁
Typische Empfindlichkeit贝1064海里毛皮ar (A / W): 0, 47岁
Typische Anstiegszeit 50ΩLastwiderstand (ns): 12
Maximale Betriebsspannung (V): 180
Minimale Durchbruchspannung (V): 200
Typische Gesamtkapazitat (pF): 35
Typischer Dunkelstrom (nA): 80
最大Dunkelstrom (nA): 200
Typischer Rauschstrom (pA /√赫兹):0,16岁
Rauschaquivalente Leistungen (NEP)贝1064海里(pW /√赫兹):0,23岁
Gehause: individuell angepasstes 36
Lagerungs-Temperaturbereich(℃): -55国际清算银行125
Betriebstemperaturbereich(℃): -55国际清算银行125
Aktiver Durchmesser(毫米):11日3
²Aktive基地(毫米):100
Typische Gesamtkapazitat (pF): 35
Typische Empfindlichkeit贝900海里(A / W): 0, 60
Typische Empfindlichkeit贝1064海里(A / W): 0, 44岁
Typische Empfindlichkeit贝1064海里毛皮ar (A / W): 0, 47岁
Typische Anstiegszeit 50ΩLastwiderstand (ns): 12
Maximale Betriebsspannung (V): 180
Minimale Durchbruchspannung (V): 200
Typische Gesamtkapazitat (pF): 35
Typischer Dunkelstrom (nA): 80
最大Dunkelstrom (nA): 200
Typischer Rauschstrom (pA /√赫兹):0,16岁
Rauschaquivalente Leistungen (NEP)贝1064海里(pW /√赫兹):0,23岁
Gehause: individuell angepasstes 36
Lagerungs-Temperaturbereich(℃): -55国际清算银行125
Betriebstemperaturbereich(℃): -55国际清算银行125