VTP7110H——Si-PD Bauform side-looker“麻省理工学院integrierter Optik, 0684平方毫米
死VTP7110H这Silizium-Photodiode在einem transparenten Gehause毛皮seitlichen Lichteinfall麻省理工学院schnellem Ansprechverhalten, niedrigem Dunkelstrom和weitem Erfassungsbereich。
这迅速地ansprechende Silizium-Photodiode bietet 0684毫米2aktive基地和一杯Spektralempfindlichkeit说是400 nm和1150 nm。Unsere VTP-Serie冯施耐尔ansprechenden Photodioden是毛皮niedrige Sperrschichtkapazitaten ausgelegt,嗯schnelle Ansprechzeiten祖茂堂erreichen。这Photodioden eignen西奇毛穴Betrieb unt Sperrvorspannung,是死Ansprechgeschwindigkeit erhoht,可以在河口欧什im photovoltaischen否定eingesetzt了。这Sensoren有一张ausgezeichnete Empfindlichkeit im nahen IR-Bereich和信德肠道auf死IR-LEDs der VTE-Baureihe abgestimmt。
Hauptmerkmale:
- 向bis IR-Spektralbereich
- Peak-Wellenlange: 925 nm, kleine aktive基地
- 1双2% Linearitat超级7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- Niedriger Dunkelstrom
- (hoh Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazitat
- Schnelle Ansprechzeit
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- “条形码扫描器”
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive基地:0684毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。6µA贝100 fc 2850 K
反应性:typ。0015 / (W /厘米2),940海里
Dunkelstrom:马克斯。35 nA贝10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat:马克斯。25 pF贝3 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1150海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 925海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0,55 A / W
Erfassungsbereich:±58毕业生贝50% Empfindlichkeit(应用)
Aktive基地:0684毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。6µA贝100 fc 2850 K
反应性:typ。0015 / (W /厘米2),940海里
Dunkelstrom:马克斯。35 nA贝10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat:马克斯。25 pF贝3 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1150海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 925海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0,55 A / W
Erfassungsbereich:±58毕业生贝50% Empfindlichkeit(应用)