VTP1232FH Si-PD, T1 3/4, 2326毫米2
Das莫德尔VTP1232FH这Silizium-Photodiode在einem flachen和transparenten T1¾-Gehause。这张光电二极管bietet一张hohe Empfindlichkeit im sichtbaren和im nahen IR-Bereich,贝hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom和geringer Sperrschichtkapazitat。
这迅速地ansprechende Silizium-Photodiode bietet一张aktive基地,冯2326毫米2和是汪汪汪杯Spektralbereich说是400 nm和1100 nm ausgelegt。
Unsere Reihe冯Photodioden麻省理工学院niedriger Ansprechzeit, entwickelt,嗯贝静脉geringen Sperrschichtkapazitat schnellere Ansprechzeiten祖茂堂ermoglichen。死Dioden能帮unt Sperrvorspannung betrieben了,嗯死Ansprechzeit还有魏特祖茂堂reduzieren。您可以在欧什im Photovoltaik-Modus betrieben了,要是死Ansprechzeit keine wesentliche罗尔spielt。
这Detektoren weisen【周伟森】欧什im IR-Spektralbereich一张hervorragende Empfindlichkeit汪汪汪和信德麻省理工学院der红外LED-Baureihe Typ VTE kombinierbar生效。
Hauptmerkmale:
- 向德国bis不IR-Bereich
- 1双2% Linearitat超级7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- Niedriger Dunkelstrom
- (hoh Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazitat
- Schnelle Ansprechzeit
- Hohe Sperrspannung
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- “条形码扫描器”
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive基地:2326毫米2
Kurzschlußstrom: 21分钟。µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。25 nA贝10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat:马克斯。100 pF贝0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0,60 A / W
Erfassungsbereich:±70毕业生贝50% Empfindlichkeit(应用)
Aktive基地:2326毫米2
Kurzschlußstrom: 21分钟。µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。25 nA贝10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat:马克斯。100 pF贝0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0,60 A / W
Erfassungsbereich:±70毕业生贝50% Empfindlichkeit(应用)