VTP1112H Si-PD,至46 Linsengehause 1 6毫米2
死VTP1112H这Silizium-Photodiode麻省理工学院erhohter Empfindlichkeit im sichtbaren和Nah-IR-Spektralbereich在einem hermetischen TO-46-Linsengehause。这张光电二极管怀斯特杯sehr hohen Shuntwiderstand,靠窗户niedrigen Dunkelstrom, niedrige Sperrschichtkapazitat和一杯schmalen Erfassungsbereich汪汪汪。
这迅速地ansprechende Silizium-Photodiode bietet一张1,6毫米2große aktive基地和是毛皮Spektralempfindlichkeit说是400 nm和1150 nm ausgelegt。
Unsere联赛冯施耐尔ansprechenden Photodioden是毛皮niedrige Sperrschichtkapazitaten ausgelegt,嗯schnelle Ansprechzeiten祖茂堂erreichen和萤石unt Sperrvorspannung betrieben了,嗯死Kapazitat祖茂堂verringern和死Ansprechgeschwindigkeit魏特祖茂堂erhohen。这Photodioden能帮欧什im Photovoltaik否定betrieben了,要是死Ansprechgeschwindigkeit不kritisch毛皮Anwendung死去,在der您eingesetzt了。
Unsere Gerate weisen【周伟森】欧什im IR-Spektralbereich hervorragende Reaktionszeiten汪汪汪和信德麻省理工学院der Reihe Excelitas红外LED VTE kombinierbar。
Hauptmerkmale:
- 向德国bis不IR-Bereich
- 1双2% Linearitat超级7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- Niedriger Dunkelstrom
- (hoh Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazitat
- Schnelle Ansprechzeit
- Hohe Sperrspannung
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- “条形码扫描器”
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive基地:1、6毫米2
Kurzschlußstrom: 30分钟。µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。7 nA贝Sperrvorspannung 50 V
Sperrschichtkapazitat:马克斯。6 pF贝15 V Sperrvorspannung
Durchbruchspannung: 50分钟。V
Spektralbereich: 400 nm bis 1150海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 925海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0,55 A / W
Erfassungsbereich:±15毕业生贝50% Empfindlichkeit(应用)
Aktive基地:1、6毫米2
Kurzschlußstrom: 30分钟。µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。7 nA贝Sperrvorspannung 50 V
Sperrschichtkapazitat:马克斯。6 pF贝15 V Sperrvorspannung
Durchbruchspannung: 50分钟。V
Spektralbereich: 400 nm bis 1150海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 925海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0,55 A / W
Erfassungsbereich:±15毕业生贝50% Empfindlichkeit(应用)