VTP1012H Si-PD,至46 1 6毫米2
死VTP1012H这Silizium-Photodiode在einem hermetischen TO-46-Gehause麻省理工学院flachem Eintrittsfenster。麻省理工学院静脉hohen Empfindlichkeit im sichtbaren和nahen IR-Spektralbereich怀斯特这光电二极管窗户的sehr hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom和一张niedrige Sperrschichtkapazitat汪汪汪。
死施耐尔ansprechende Silizium-Photodiode VTP1012H bietet一张1,6毫米2aktive基地和Spektralempfindlichkeit说是400 nm和1150 nm。
Unsere Reihe冯Silizium-Fotodioden麻省理工学院niedriger Ansprechzeit, entwickelt,嗯贝静脉geringen Sperrschichtkapazitat schnellere Ansprechzeiten祖茂堂ermoglichen。死Dioden能帮unt Sperrvorspannung betrieben了,嗯死Ansprechzeit还有魏特祖茂堂beschleunigen。
您可以在欧什im Photovoltaik-Modus betrieben了,要是死Ansprechzeit keine wesentliche罗尔spielt。这Detektoren weisen【周伟森】欧什im IR-Spektralbereich一张hervorragende Empfindlichkeit汪汪汪和信德麻省理工学院der红外LED-Baureihe Typ VTE kombinierbar生效。
Hauptmerkmale:
- 向德国bis不IR-Bereich
- 1双2% Linearitat超级7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- Niedriger Dunkelstrom
- (hoh Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazitat
- Schnelle Ansprechzeit
- Hohe Sperrspannung
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- “条形码扫描器”
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive基地:1、6毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。10µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。7 nA贝Sperrvorspannung 50 V
Sperrschichtkapazitat:马克斯。6 pF贝15 V Sperrvorspannung
Durchbruchspannung: 50分钟。V
Spektralbereich: 400 nm bis 1150海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 925海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0,55 A / W
Erfassungsbereich: 35±50%毕业生贝Empfindlichkeit(应用)
Aktive基地:1、6毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。10µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。7 nA贝Sperrvorspannung 50 V
Sperrschichtkapazitat:马克斯。6 pF贝15 V Sperrvorspannung
Durchbruchspannung: 50分钟。V
Spektralbereich: 400 nm bis 1150海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 925海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0,55 A / W
Erfassungsbereich: 35±50%毕业生贝Empfindlichkeit(应用)