VTB8441H Si-PD, 8毫米Keramik 5 16毫米2,niedriger Dunkelstrom
死VTB8441H这blau-verstarkte Silizium-Photodiode Keramikgehause einem 8毫米,das麻省理工学院静脉klaren Epoxidschicht geschutzt坚持。这张光电二极管bietet一张hohere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich和窗户的sehr hohen Shuntwiderstand贝好多niedrigem Dunkelstrom。
死blau-verstarkte Silizium-Photodiode VTB8441H bietet一张aktive基地·冯·5,16毫米2和是汪汪汪杯Spektralbereich说是320 nm和1100 nm ausgelegt。这联赛冯planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden,皮毛一张optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren德国des Spektrums entwickelt。
Unsere blau-verstarkten Silizium-Photodioden信德在往昔Linie毛穴Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen,可以在河口欧什麻省理工学院静脉geringen Sperrvorspannung verwendet了。您weisen【周伟森】杯sehr hohen Shuntwiderstand——一张Eigenschaft汪汪汪,死在Trans-Impedanz-Operationsverstarkerschaltungen贝Verwendung麻省理工学院(hoh Verstarkung祖茂堂niedrigen Offsetspannungen fuhrt。
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich冯紫外线bis不IR-Bereich
- 1 - 2 % Linearitat超级7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- 好多geringer Dunkelstrom
- Sehr hoh Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- UV -和Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenuberwachung
- Photometrie
Aktive基地:5、16毫米2
Kurzschlußstrom: 35分钟。µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。100 pA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。1 0 0 V Vorspannung nF贝
Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
Erfassungsbereich:±50研究生贝50%信号(应用)
Aktive基地:5、16毫米2
Kurzschlußstrom: 35分钟。µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。100 pA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。1 0 0 V Vorspannung nF贝
Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
Erfassungsbereich:±50研究生贝50%信号(应用)