Blau-verstarkte Silizium-Photodiode冯Excelitas
菩提树/ VTB8341H

VTB8341H——Si-PD Keramik 5、16毫米2

死VTB8341H这blau-verstarkte Silizium-Photodiode在einem Keramikgehause, das麻省理工学院静脉klarem Epoxidverkapselung geschutzt坚持。这张光电二极管bietet一张hohere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich和窗户的sehr hohen Shuntwiderstand贝好多niedrigem Dunkelstrom。

这张blau-verstarkte Silizium-Photodiode将在einem Keramikgehause geliefert, das麻省理工学院静脉迪肯Epoxidschicht versehen坚持。您bietet一张aktive基地·冯·5,16毫米2和一杯Spektralempfindlichkeit说是320和1100海里。

这联赛冯planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden,皮毛一张optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren德国des Spektrums entwickelt。死Photodioden信德在往昔Linie毛皮窝Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen,可以在河口欧什麻省理工学院静脉geringen Sperrvorspannung betrieben了。您wurden außerdem konstruiert,您窗户的sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen Eigenschaft的风景明信片,死在Trans-Impedanz-Operationsverstarkerschaltungen贝Verwendung麻省理工学院(hoh Verstarkung祖茂堂niedrigen Offsetspannungen fuhrt。

Hauptmerkmale:

  • Spektralbereich冯紫外线bis不IR-Bereich
  • 1 - 2 % Linearitat超级7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
  • 好多geringer Dunkelstrom
  • Sehr hoh Shuntwiderstand
  • RoHS-konform

Anwendungen:

  • UV -和Blaulichterkennung
  • Lichtmessung
  • Flammenuberwachung
  • Photometrie

Aktive基地:5、16毫米2

Kurzschlußstrom: 35分钟。µA贝100 fc 2850 K

Dunkelstrom:马克斯。100 pA贝2 V Sperrvorspannung

Sperrschichtkapazitat: typ。1 0 0 V Vorspannung nF贝

Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里

Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里

Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ):typ。0 5 A / W

Erfassungsbereich:±60研究生贝50%信号(应用)

Aktive基地:5、16毫米2

Kurzschlußstrom: 35分钟。µA贝100 fc 2850 K

Dunkelstrom:马克斯。100 pA贝2 V Sperrvorspannung

Sperrschichtkapazitat: typ。1 0 0 V Vorspannung nF贝

Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里

Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里

Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ):typ。0 5 A / W

Erfassungsbereich:±60研究生贝50%信号(应用)

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