VTB6061UVJH Si-PD, 8, 37岁,7毫米2,isoliertes Gehause UV-Fenster
死VTB6061UVJH这Silizium-Photodiode在einem hermetischen 8 UV-durchlassigen Gehause麻省理工学院flachem Eintrittsfenster,贝民主党der Photodiodenchip vom Gehause isoliert坚持。这张光电二极管bietet静脉erhohte Empfindlichkeit im UV-Spektralbereich和怀斯特杯sehr hohen Shuntwiderstand贝niedrigem Dunkelstrom汪汪汪。
这张UV-verstarkte Silizium-Photodiode bietet一张aktive基地,37岁的冯7毫米2和坚持auf optimale Spektralempfindlichkeit说是200 nm和1100 nm ausgelegt。
这系列平面P-auf-N-Silizium-Photodioden,皮毛静脉最佳Ansprechverhalten im UV -和sichtbaren德国des Spektrums entwickelt。死Photodioden信德在往昔Linie毛皮窝Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen,可以在河口欧什麻省理工学院静脉geringen Sperrvorspannung betrieben了。您wurden außerdem konstruiert,您窗户的sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen Eigenschaft的风景明信片,死在Trans-Impedanz-Operationsverstarkerschaltungen贝Verwendung麻省理工学院(hoh Verstarkung祖茂堂niedrigen Offsetspannungen fuhrt。
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich冯紫外线bis不IR-Bereich
- 1 - 2 % Linearitat超级7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- Sehr niedriger Dunkelstrom, Sehr hoh Nebenschlusswiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- UV -和Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenuberwachung
- Photometrie
Aktive基地:37岁7毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。260年µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。2 nA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。8 0 V Vorspannung nF贝
Spektralbereich: 200 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
typ Empfindlichkeit贝365海里。0 1 A / W
Empfindlichkeit贝220海里:分钟。0,04 A / W
Erfassungsbereich: 55研究生贝50%±信号(应用)
Aktive基地:37岁7毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。260年µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。2 nA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。8 0 V Vorspannung nF贝
Spektralbereich: 200 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
typ Empfindlichkeit贝365海里。0 1 A / W
Empfindlichkeit贝220海里:分钟。0,04 A / W
Erfassungsbereich: 55研究生贝50%±信号(应用)