VTB6061JH Si-PD, 8, 37岁,7毫米2,isoliertes Gehause
Das莫德尔VTB6061JH这Silizium-Photodiode在einem hermetischen TO-8-Gehause麻省理工学院flachem窗口,贝民主党der Photodiodenchip vom Gehause isoliert坚持。这张光电二极管bietet一张hohere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich和窗户的sehr hohen Shuntwiderstand贝好多niedrigem Dunkelstrom。
这张blau-verstarkte Silizium-Photodiode bietet一张aktive基地,37岁的冯7毫米2贝einem optimalen Spektralbereich说是320 nm和1100 nm。
这联赛冯planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden,皮毛一张optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren德国des Spektrums entwickelt。死Photodioden信德在往昔Linie毛皮窝Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen,可以在河口欧什麻省理工学院静脉geringen Sperrvorspannung betrieben了。您wurden außerdem konstruiert,您窗户的sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen Eigenschaft的风景明信片,死在Trans-Impedanz-Operationsverstarkerschaltungen贝Verwendung麻省理工学院(hoh Verstarkung祖茂堂niedrigen Offsetspannungen fuhrt。
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich冯紫外线bis不IR-Bereich
- 1 - 2 % Linearitat超级7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- 好多geringer Dunkelstrom
- Sehr hoh Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- UV -和Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenuberwachung
- Photometrie
Aktive基地:37岁7毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。260年µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。2 nA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。8 0 V Vorspannung nF贝
Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
Erfassungsbereich: 55研究生贝50%±信号(应用)
Aktive基地:37岁7毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。260年µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。2 nA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。8 0 V Vorspannung nF贝
Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
Erfassungsbereich: 55研究生贝50%±信号(应用)