VTB1112H Si-PD,至46麻省理工学院integrierter林斯,1,6毫米2
Das莫德尔VTB1112H这Silizium-Photodiode在einem hermetischen TO-46-Gehause麻省理工学院integrierter林斯,Das一张hohere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich bietet。这张光电二极管怀斯特杯sehr hohen Shuntwiderstand贝niedrigem Dunkelstrom和engem Erfassungsbereich汪汪汪。
死blau-verstarkte Silizium-Photodiode VTB1112H bietet一张aktive基地,冯·1 6毫米2和是一杯Spektralempfindlichkeit说是320 nm和1100 nm ausgelegt汪汪汪。
这系列平面P-auf-N-Silizium-Photodioden,皮毛静脉最佳Ansprechverhalten im gesamten sichtbaren德国des Spektrums entwickelt。死Photodioden信德在往昔Linie毛皮窝Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen,可以在河口欧什麻省理工学院静脉geringen Sperrvorspannung betrieben了。您信德konstruiert,您窗户的sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen, Eigenschaft的风景明信片,死贝姆Einsatz Transimpedanz-Operationsverstarkerschaltungen麻省理工学院(hoh Verstarkung祖茂堂niedrigen Offsetspannungen fuhrt。
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich冯紫外线bis不IR-Bereich
- 1 - 2 % Linearitat超级7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- 好多geringer Dunkelstrom
- Sehr hoh Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenuberwachung
- Photometrie
Aktive基地:1、6毫米2
Kurzschlußstrom: 30分钟。µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。100 pA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。0,31 nF贝0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
Erfassungsbereich:±15研究生贝50%信号(应用)
Aktive基地:1、6毫米2
Kurzschlußstrom: 30分钟。µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。100 pA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。0,31 nF贝0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
Erfassungsbereich:±15研究生贝50%信号(应用)