VTB1013H Si-PD,至46,1 6平方毫米,niedriger Dunkelstrom
死VTB1013H这Silizium-Photodiode在einem hermetischen TO-46-Gehause麻省理工学院flachem窗口。这张光电二极管bietet一张hohere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich和窗户的sehr hohen Shuntwiderstand贝好多niedrigem Dunkelstrom。
贝diesem Bauteil handelt西文西奇嗯一张blau-verstarkte Silizium-Photodiode麻省理工学院静脉aktiven基地·冯·1,6毫米2,deren spektrale Empfindlichkeit说是320 nm和1100 nm liegt。
这联赛冯planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden,皮毛一张optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren德国des Spektrums entwickelt。死Photodioden信德在往昔Linie毛皮窝Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen,可以在河口欧什麻省理工学院静脉geringen Sperrvorspannung betrieben了。您wurden außerdem konstruiert,您窗户的sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen Eigenschaft的风景明信片,死在Trans-Impedanz-Operationsverstarkerschaltungen贝Verwendung麻省理工学院(hoh Verstarkung祖茂堂niedrigen Offsetspannungen fuhrt。
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich冯紫外线bis不IR-Bereich
- 1 - 2 % Linearitat超级7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstarke)
- 好多geringer Dunkelstrom
- Sehr hoh Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenuberwachung
- Photometrie
Aktive基地:1、6毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。8µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。20 pA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。0,31 nF贝0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
Erfassungsbereich:±35研究生贝50%信号(应用)
Aktive基地:1、6毫米2
Kurzschlußstrom:分钟。8µA贝100 fc 2850 K
Dunkelstrom:马克斯。20 pA贝2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazitat: typ。0,31 nF贝0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100海里
Wellenlange der hochsten Empfindlichkeit: 920海里
Maximale spektrale Empfindlichkeit(λ峰):typ。0 5 A / W
Erfassungsbereich:±35研究生贝50%信号(应用)