PVGR4S12H - 1550 nm骑士,vierfach gestapelter芯片麻省理工学院Einzel-Kavitat 12毫升Streifenbreite im CD-Gehause 9毫米
死PVGR4S12H这hocheffiziente gepulste 1550 nm Laserdiode im Metallgehause,死来自einem vierfach gestapelten芯片麻省理工学院Einfach-Kavitat和静脉Streifenbreite冯300µm besteht。死Ausgangsleistung betragt 58 40 W贝和静脉Pulslange冯150 ns, ebenso verfugbar在verschiedenen Gehausevarianten。
Unsere Laserdioden,死在einem金属(有机化学蒸汽沉积)Prozess gefertigt了besitzen静脉Doppelheterostruktur, emittieren贝1550 nm和您Ausgangsleistungen冯7 W, 14 W和58 W和了als Standardprodukte angeboten。您typische Wellenlange liegt贝1550海里。该死profitieren您冯hoheren最大zulassigen optischen Ausgangsleistungen较为AlGaAs——和InGaAs-Lasern毛皮杯augensicheren Betrieb gemaßFDA-Anforderungen。死ermoglicht窝Betrieb Laserklasse 1麻省理工学院relativ hohen Ausgangsleistungen。
•1550海里typische Wellenlange
•Gestapelte芯片苏珥Erhohung der Ausgangsleistung erhaltlich
•„量子阱”合写
•Hohe Pulsleistung - bis祖茂堂50 W
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•Gestapelte芯片苏珥Erhohung der Ausgangsleistung erhaltlich
•„量子阱”合写
•Hohe Pulsleistung - bis祖茂堂50 W