C30956EH - Si adp, 3毫米,8 Gehause
großflachige死去,皮毛1060海里optimierte Silizium雪崩光电二极管(Si美国C30956EH besitzt一张aktive基地,麻省理工学院einem Durchmesser·冯·3毫米和bietet hohe Quantenausbeute。死如果美国麻省理工学院将静脉doppelt diffundierten“影响力”合写einem 8 Gehause gefertigt。您Empfindlichkeit speziell皮毛Wellenlangen > 900海里optimiert。
Hauptmerkmale:
- Aktiver Durchmesser 3毫米
- Hohe Quantenausbeute贝1060海里
- Schnelle Reaktionszeit
- 魏特Betriebstemperaturbereich
- Geringe Sperrschichtkapazitat
- Hermetisches Gehause
- RoHS-konform
- 珀尔帖效应库尔verfugbar als选项
Anwendungen:
- Entfernungsmessung
- 激光雷达
- 掺钕钇铝石榴石激光器Erkennung
²Aktive基地:7毫米
Aktiver Durchmesser: 3毫米
Durchbruchspannung: > 325 V、400 V < 500 V
Kapazitat: 2、4 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstarkungsfaktor: 75
Rauschstrom: 1、1 pA /√赫兹
Gehause: 8
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Empfindlichkeit:
- 45 A / W贝900海里
- 25 A / W贝1050海里
- 3、5 A / W贝1150海里
Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2、4 V /°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V - 450 V
Wellenlange: 400 nm - 1100 nm
²Aktive基地:7毫米
Aktiver Durchmesser: 3毫米
Durchbruchspannung: > 325 V、400 V < 500 V
Kapazitat: 2、4 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstarkungsfaktor: 75
Rauschstrom: 1、1 pA /√赫兹
Gehause: 8
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Empfindlichkeit:
- 45 A / W贝900海里
- 25 A / W贝1050海里
- 3、5 A / W贝1150海里
Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2、4 V /°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V - 450 V
Wellenlange: 400 nm - 1100 nm