美国Excelitas Si C30956EH
菩提树/ C30956EH

C30956EH - Si adp, 3毫米,8 Gehause

großflachige死去,皮毛1060海里optimierte Silizium雪崩光电二极管(Si美国C30956EH besitzt一张aktive基地,麻省理工学院einem Durchmesser·冯·3毫米和bietet hohe Quantenausbeute。死如果美国麻省理工学院将静脉doppelt diffundierten“影响力”合写einem 8 Gehause gefertigt。您Empfindlichkeit speziell皮毛Wellenlangen > 900海里optimiert。

Hauptmerkmale:

  • Aktiver Durchmesser 3毫米
  • Hohe Quantenausbeute贝1060海里
  • Schnelle Reaktionszeit
  • 魏特Betriebstemperaturbereich
  • Geringe Sperrschichtkapazitat
  • Hermetisches Gehause
  • RoHS-konform
  • 珀尔帖效应库尔verfugbar als选项

Anwendungen:

  • Entfernungsmessung
  • 激光雷达
  • 掺钕钇铝石榴石激光器Erkennung

²Aktive基地:7毫米
Aktiver Durchmesser: 3毫米
Durchbruchspannung: > 325 V、400 V < 500 V
Kapazitat: 2、4 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstarkungsfaktor: 75
Rauschstrom: 1、1 pA /√赫兹
Gehause: 8
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Empfindlichkeit:

  • 45 A / W贝900海里
  • 25 A / W贝1050海里
  • 3、5 A / W贝1150海里

Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2、4 V /°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V - 450 V
Wellenlange: 400 nm - 1100 nm

²Aktive基地:7毫米
Aktiver Durchmesser: 3毫米
Durchbruchspannung: > 325 V、400 V < 500 V
Kapazitat: 2、4 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstarkungsfaktor: 75
Rauschstrom: 1、1 pA /√赫兹
Gehause: 8
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Empfindlichkeit:

  • 45 A / W贝900海里
  • 25 A / W贝1050海里
  • 3、5 A / W贝1150海里

Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2、4 V /°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V - 450 V
Wellenlange: 400 nm - 1100 nm

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