Excelitas C30955EH Silizium-APD
菩提树/ C30955EH

C30955EH - Si adp, 1, 5毫米,5 Gehause

死皮1060海里optimierte Silizium雪崩光电二极管(adp) C30955EH besitzt一张aktive基地,麻省理工学院1,5毫米Durchmesser和bietet hohe Quantenausbeute。死如果美国麻省理工学院将静脉doppelt diffundierten“影响力”合写einem 5 Gehause gefertigt。您Empfindlichkeit speziell皮毛Wellenlangen > 900海里optimiert。

Hauptmerkmale:

  • Aktiver Durchmesser 1, 5毫米
  • Hohe Quantenausbeute贝1060海里
  • Schnelle Reaktionszeit
  • 魏特Betriebstemperaturbereich
  • Geringe Sperrschichtkapazitat
  • Hermetisches Gehause
  • RoHS-konform
  • 珀尔帖效应库尔verfugbar als选项

Anwendungen:

  • Entfernungsmessung
  • 激光雷达
  • 掺钕钇铝石榴石激光器Erkennung

²Aktive基地:1、77毫米
Aktiver Durchmesser: 1、5毫米
Durchbruchspannung: > 315 V、390 V < 490 V
Kapazitat: 3 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstarkungsfaktor: 100
Rauschstrom: 1 pA /√赫兹
Gehause: 5
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Empfindlichkeit:

  • 70 A / W贝900海里,
  • 34 A / W贝1050海里,
  • 5 A / W贝1150海里

Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2、4 V /°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V - 450 V
Wellenlange: 400 nm - 1100 nm

²Aktive基地:1、77毫米
Aktiver Durchmesser: 1、5毫米
Durchbruchspannung: > 315 V、390 V < 490 V
Kapazitat: 3 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstarkungsfaktor: 100
Rauschstrom: 1 pA /√赫兹
Gehause: 5
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Empfindlichkeit:

  • 70 A / W贝900海里,
  • 34 A / W贝1050海里,
  • 5 A / W贝1150海里

Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2、4 V /°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V - 450 V
Wellenlange: 400 nm - 1100 nm

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