C30954EH - Si adp 0 8毫米,5 Gehause
美国死皮1060海里optimierte Silizium雪崩光电二极管(Si) C30954EH besitzt一张aktive基地,麻省理工学院einem Durchmesser冯·0 8毫米和bietet hohe Quantenausbeute。死如果美国麻省理工学院将静脉doppelt diffundierten“影响力”合写einem 5 Gehause gefertigt。您Empfindlichkeit speziell皮毛Wellenlangen > 900海里optimiert。
Hauptmerkmale:
- Aktiver Durchmesser 0 8毫米
- Hohe Quantenausbeute贝1060海里
- Schnelle Reaktionszeit
- 魏特Betriebstemperaturbereich
- Geringe Sperrschichtkapazitat
- Hermetisches Gehause
- RoHS-konform
- 珀尔帖效应库尔verfugbar als选项
Anwendungen:
- Entfernungsmessung
- 激光雷达
- 掺钕钇铝石榴石激光器Erkennung
²Aktive基地:0、5毫米
Aktiver Durchmesser: 0 8毫米
Durchbruchspannung: > 300 V、375 V < 475 V
Kapazitat: 2 pF
Dunkelstrom: 50 nA
Verstarkungsfaktor: 120
Rauschstrom: 1 pA /√赫兹
Gehause: 5
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Empfindlichkeit:
- 75 A / W贝900海里,
- 36 A / W贝1050海里,
- 5 A / W贝1150海里
Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2、4 V /°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V - 450 V
Wellenlange: 400 nm - 1100 nm
²Aktive基地:0、5毫米
Aktiver Durchmesser: 0 8毫米
Durchbruchspannung: > 300 V、375 V < 475 V
Kapazitat: 2 pF
Dunkelstrom: 50 nA
Verstarkungsfaktor: 120
Rauschstrom: 1 pA /√赫兹
Gehause: 5
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Empfindlichkeit:
- 75 A / W贝900海里,
- 36 A / W贝1050海里,
- 5 A / W贝1150海里
Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2、4 V /°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V - 450 V
Wellenlange: 400 nm - 1100 nm