C30927EH-01 - Si APD-Quadrant - 1, 5毫米- 1060 nm
死Quadranten Silizium雪崩光电二极管C30927EH-01,麻省理工学院einem aktiven Durchmesser·冯·1,55毫米,是麻省理工学院的静脉doppelt diffundierten„联系到“合写ausgelegt。
Quadranten der C30927EH-01死去,deren Trennung军队死Segmentierung der Lichteintrittsflache erreicht将,besitzen杯gemeinsamen Verstarkungsbereich。这位Konstruktion贝有es keinen Empfindlichkeitsverlust军队不敏感Bereiche说是窝Elementen。
死C30927EH-01是毛穴Betrieb贝1064海里optimiert和bietet hohe Empfindlichkeit和ausgezeichnete Leistung,您要是innerhalb冯大约50 nm der spezifizierten Wellenlange betrieben将。
Wichtige Eigenschaften和Vorteile:
- Blickwinkel großer als 90º
- Hohe Quantenausbeute optimiert毛皮YAG-Wellenlange死去
- Schnelle Ansprechzeit
- Große aktive基地:1、77毫米2
- 基地,hermetisches 8 Gehause
Durchbruchsspannungsbereich (V): 350国际清算银行485
Typische Durchbruchspannung (V): 425
Typische Verstarkung (M): 100
Typischer Temperaturkoeffizient毛皮konstante Verstarkung (V /℃): 2、4
Minimale Empfindlichkeit贝1060海里(A / W): 12
Typische Empfindlichkeit贝1060海里(A / W): 15
Typischer Gesamt-Dunkelstrom (nA): 100
最大Gesamt-Dunkelstrom (nA): 200
Typischer Rauschstrom pro元素(pA /√Hz): 1, 0
最大Rauschstrom pro元素(pA /√Hz): 1, 5
Typische Gesamtkapazitat通向Quadranten (pF): 3
Maximale Gesamtkapazitat通向Quadranten (pF): 5
最大Reihenwiderstand(Ω):15
Typische Anstiegs——和Abfallzeit (ns): 3
Lagertemperatur(℃): -60国际清算银行120
Betriebstemperatur(℃): -40双60
Durchbruchsspannungsbereich (V): 350国际清算银行485
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Typische Verstarkung (M): 100
Typischer Temperaturkoeffizient毛皮konstante Verstarkung (V /℃): 2、4
Minimale Empfindlichkeit贝1060海里(A / W): 12
Typische Empfindlichkeit贝1060海里(A / W): 15
Typischer Gesamt-Dunkelstrom (nA): 100
最大Gesamt-Dunkelstrom (nA): 200
Typischer Rauschstrom pro元素(pA /√Hz): 1, 0
最大Rauschstrom pro元素(pA /√Hz): 1, 5
Typische Gesamtkapazitat通向Quadranten (pF): 3
Maximale Gesamtkapazitat通向Quadranten (pF): 5
最大Reihenwiderstand(Ω):15
Typische Anstiegs——和Abfallzeit (ns): 3
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Betriebstemperatur(℃): -40双60