Excelitas C30902-Serie-Silizium-APD
菩提树/ C30902SH-DTC

C30902SH-DTC - Si adp, 0 5毫米- 66 Gehause,光子计数,zweistufiges珀尔帖Kuhlelement

死Avalanche-Photodioden C30902SH冯Excelitas信德schnelle, großflachige Silizium-APDs,死一张hohe Empfindlichkeit贝geringem Rauschen bieten。您的speziell ausgewahlt,嗯entweder im Geiger-Modus (V人事处> V双相障碍)苏珥Detektion einzelner Photonen奥得河im Linear-Modus (V人事处< V双相障碍250年麻省理工学院bis祖茂堂facher Verstarkung eingesetzt祖茂堂了。

SPAD麻省理工学院(hoh Ansprechempfindlichkeit和geringem Rauschen

死Silizium-SPADs der C30902SH-Familie ermoglichen潮湿的außerst geringem Rauschen和niedrigem Dunkelstrom sehr leistungsfahige Daten——和Abstandsmessungen。您eignen西奇insbesondere毛皮Anwendungen苏珥Detektion贝好多niedrigen Lichtstarken (z。b . Einzelphotonenzahlung和Quantenkommunikation)和信德毛皮窝Einsatz贝optischen Leistungen冯wenig als 1 pW konzipiert。死C30902SH-DTC萤石entweder im linearen (V人事处< V双相障碍250)麻省理工学院typischen Verstarkungen•冯•奥得河mehr奥得河im„盖革”方法(V人事处> V双相障碍麻省理工学院)außerst niedrigen和stabilen Dunkelzahlraten和Nachimpulsverhaltnissen eingesetzt了。在diesem否定信德keine externen Verstarkerschaltungen notwendig和死Wahrscheinlichkeit静脉einzelnes光子祖茂堂detektieren liegt大约50%贝。毛皮带较多Leistung信德这Hochleistungs-SPADs麻省理工学院静脉-奥得河zweistufigen thermoelektrischen Kuhlern erhaltlich。

Hauptmerkmale:

  • 0,5毫米Si adp im - 66 gehause麻省理工学院Flanschprofil
  • Hohe Quanteneffizienz - 84% typisch贝800海里
  • 好多geringes Rauschen贝-20°C
  • Hohe Empfindlichkeit:实习医师Verstarkung > 250
  • Spektralbereich: 400 nm bis 1100海里
  • Ansprechzeit: typisch 0、4 ns
  • 魏特Betriebstemperaturbereich: -40°C bis + 85°C
  • Integrierte Peltierkuhler-Option

Anwendungen:

  • 激光雷达- / ToF-Messungen
  • Quantenkommunikation
  • 光子计数
  • Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR))
  • 提升

²Aktive基地:0、2毫米
Aktiver Durchmesser: 0、5毫米
Durchbruchspannung: typisch 225 V
Kapazitat: typisch 1、5 pF
Temperatur-Koeffizient: typisch 0 7 V /°C
Dunkelstrom: 1 nA
Dunkelrauschen: 0, 02年pA /√赫兹
Rauschaquivalente Leistung: 0, 15 fW /√赫兹
Typische Empfindlichkeit: 135 A / W贝800海里
Empfohlene Verstarkung: 250
寄:Flanschprofil - 66

²Aktive基地:0、2毫米
Aktiver Durchmesser: 0、5毫米
Durchbruchspannung: typisch 225 V
Kapazitat: typisch 1、5 pF
Temperatur-Koeffizient: typisch 0 7 V /°C
Dunkelstrom: 1 nA
Dunkelrauschen: 0, 02年pA /√赫兹
Rauschaquivalente Leistung: 0, 15 fW /√赫兹
Typische Empfindlichkeit: 135 A / W贝800海里
Empfohlene Verstarkung: 250
寄:Flanschprofil - 66

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