C30845EH - Si销、8毫米、8 Gehause, Quadranten-Detektor
死C30845EH这hochwertige N-Typ Silizium销Quadranten-Photodiode在einem hermetischen 8 Gehause,死皮杯Wellenlangenbereich冯300 nm bis 1100海里ausgelegt坚持。麻省理工学院我großen aktiven基地(50毫米²)是死二极管大足geeignet, Positionsinformationen sowohl冯fokussierten als欧什·冯·nicht-fokussierten Punkten im gepulsten奥得河CW-Modus aufzunehmen。
Eigenschaften:
- ²Große aktive基地,冯50毫米
- Niedrige Betriebsspannung (Vop)•冯•45 V
- Hermetisches Gehause
- Spektralbereich: 400 nm bis 1100海里
- Sehr geringer象限祖茂堂象限Abstand: 0, 25毫米
Aktiver Durchmesser(毫米):8
²Aktive基地(毫米):50
Minimale Durchbruchspannung (V): 100
Typische Kapazitat pro元素(pF): 8
Maximale Kapazitat pro元素(pF): 10
Typischer Dunkelstrom亲贝10 V pro元素(nA): 70
最大Dunkelstrom亲贝10 V pro元素(nA): 200
Typischer Dunkelstrom亲贝45 V pro元素(nA): 200
最大Dunkelstrom亲贝45 V pro元素(nA): 700
Typischer Rauschstrom pro元素贝900海里(pA /√Hz): 0, 43岁
最大Rauschstrom pro元素贝900海里(pA /√Hz): 80
Typischer Rauschstrom pro元素贝1060海里(pA /√Hz): 1, 5
最大Rauschstrom pro元素贝1060海里(pA /√Hz): 6, 5
Typische Anstiegszeit (ns): 6
Typische Abfallzeit (ns): 10
Lagertemperatur(℃): -60国际清算银行100
Betriebstemperatur(℃): -40国际清算银行80
Aktiver Durchmesser(毫米):8
²Aktive基地(毫米):50
Minimale Durchbruchspannung (V): 100
Typische Kapazitat pro元素(pF): 8
Maximale Kapazitat pro元素(pF): 10
Typischer Dunkelstrom亲贝10 V pro元素(nA): 70
最大Dunkelstrom亲贝10 V pro元素(nA): 200
Typischer Dunkelstrom亲贝45 V pro元素(nA): 200
最大Dunkelstrom亲贝45 V pro元素(nA): 700
Typischer Rauschstrom pro元素贝900海里(pA /√Hz): 0, 43岁
最大Rauschstrom pro元素贝900海里(pA /√Hz): 80
Typischer Rauschstrom pro元素贝1060海里(pA /√Hz): 1, 5
最大Rauschstrom pro元素贝1060海里(pA /√Hz): 6, 5
Typische Anstiegszeit (ns): 6
Typische Abfallzeit (ns): 10
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Betriebstemperatur(℃): -40国际清算银行80