C30739ECERH-2 - Si adp auf Keramiksubstrat麻省理工学院(hoh Verstarkung
死毛穴kurzwelligen德国optimierte Silizium雪崩光电二极管(Si美国C30739ECERH-2 deckt窝Spektralbereich冯unt 400 nm bis超级700海里ab。麻省理工学院geringem Rauschen, niedriger Kapazitat和静脉optimierten Empfindlichkeit im紫外线贝gleichzeitig hoh Verstarkung, bietet死如果adp一杯Quantenausbeute冯mehr als 70%贝430 nm和是毛皮Anwendungen贝niedriger Lichtleistung,是不是z。b .死molekulare Bildgebung, ausgelegt。《国际卫生条例》keramisches Substrat ermoglicht一张einfache Handhabung和Kopplung Szintillationskristalle体育交响乐团和BGO。
Hauptmerkmale:
- 如果美国麻省理工学院optimierter UV Empfindlichkeit
- 贝430海里Quantenausbeute·冯·70%
- 基地Keramiksubstrat——einfache Kopplung Szintillatorkristalle
- Nichtmagnetisches Gehause
Anwendungen:
- Molekulare Bildgebung
- Nuklearmedizin
- Fluoreszenz-Erkennung
- Hochenergie物理学
- Sicherheit和Strahlungserkennung
- Umweltuberwachung
Aktive基地:5、6 x 5、6毫米
Durchbruchspannung: 400, < 450 V
Kapazitat: 60 pF
Dunkelstrom: 1、5 nA
Verstarkung: > 100
Rauschstrom:
Reaktionszeit: 2 ns
Empfindlichkeit: 26 A / W毛皮C30739ECERH, 52 A / W毛皮C30739ECERH-2贝430 nm和typischer Verstarkung
Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Rauschstrom: 0, pA /√3赫兹皮毛C30739ECERH, 0, 4 pA /√赫兹毛皮C30739ECERH-2
Wellenlange: 400 nm - 700 nm
Aktive基地:5、6 x 5、6毫米
Durchbruchspannung: 400, < 450 V
Kapazitat: 60 pF
Dunkelstrom: 1、5 nA
Verstarkung: > 100
Rauschstrom:
Reaktionszeit: 2 ns
Empfindlichkeit: 26 A / W毛皮C30739ECERH, 52 A / W毛皮C30739ECERH-2贝430 nm和typischer Verstarkung
Anstiegs - / Abfallzeit: 2 ns
Rauschstrom: 0, pA /√3赫兹皮毛C30739ECERH, 0, 4 pA /√赫兹毛皮C30739ECERH-2
Wellenlange: 400 nm - 700 nm