c30737ph - 500 - 90 - n - Si adp, 500µm Kunststoffgehause 900 nm optimiert
死c30737ph - 500 - 90 - n Silizium Avalanche-Fotodiode (adp)将einem T 1¾Kunststoffgfehause geliefert, besitzt杯aktiven Durchmesser冯500µm和bietet optimierte Emfpindlichkeit贝900海里。
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit说是500 nm和1000 nm
- Geringes Rauschen和好多schnelle Anstiegszeiten超级阿莱Wellenlangen麻省理工学院静脉Grenzfrequenz冯超级380 MHz
- Aktiver Durchmesser冯500μm optimiert毛皮maximale Empfindlichkeit贝900海里
- Kunststoffgehause T 1¾
Anwendungen:
- 激光雷达
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- 激光扫描仪
- Anwendungen、模杯kostengunstigen hochleistungsfahigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 500μm
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Durchbruchspannung Vbd: 180 V - 260 V(萤石selektiert了)
Temperaturkoeffizient冯Vop毛皮konstante Verstarkung: 1、3 V /°C
Verstarkung: 100贝900海里
Empfindlichkeit: 60 A / W贝800海里
Dunkelstrom Id: typ。0,1 nA,马克斯。1 nA
Rauschstrom: 0 1 pA /√赫兹
Kapazitat: 1 pF
Anstiegs - / Abfallzeit: 0 9 ns贝50ΩAbschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagertemperatur: -50°C bis + 100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis + 85°C
Gehause: Kunststoff T1¾
Aktiver Durchmesser: 500μm
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Durchbruchspannung Vbd: 180 V - 260 V(萤石selektiert了)
Temperaturkoeffizient冯Vop毛皮konstante Verstarkung: 1、3 V /°C
Verstarkung: 100贝900海里
Empfindlichkeit: 60 A / W贝800海里
Dunkelstrom Id: typ。0,1 nA,马克斯。1 nA
Rauschstrom: 0 1 pA /√赫兹
Kapazitat: 1 pF
Anstiegs - / Abfallzeit: 0 9 ns贝50ΩAbschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagertemperatur: -50°C bis + 100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis + 85°C
Gehause: Kunststoff T1¾