c30737ph - 500 - 80 - n - Si adp, 500µm Kunststoffgehause 800 nm optimiert
死Silizium雪崩光电二极管(adp) c30737ph - 500 - 80 - n besitzt杯aktiven Durchmesser冯500µm麻省理工学院optimierter Empfindlichkeit贝800 nm和将einem T1¾-Kunststoffgehause geliefert。
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit说是500 nm和1000 nm
- Geringes Rauschen和好多schnelle Anstiegszeiten超级阿莱Wellenlangen麻省理工学院静脉Grenzfrequenz冯超级1,3 GHz
- Aktiver Durchmesser冯500μm optimiert毛皮maximale Empfindlichkeit贝800海里
- Kunststoffgehause T 1¾
Anwendungen:
- 激光雷达
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- 激光扫描仪
- Anwendungen、模杯kostengunstigen hochleistungsfahigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 500μm
最大der spektralen Empfindlichkeit: 800海里
Durchbruchspannung Vbd: 120 V - 210 V(萤石selektiert了)
Temperaturkoeffizient冯Vop毛皮konstante Verstarkung: 0、5 V /°C
Verstarkung: 100贝800海里
Empfindlichkeit: 50 A / W贝800海里
Dunkelstrom Id: typ。0,1 nA,马克斯。1 nA
Rauschstrom: 0 1 pA /√赫兹
Kapazitat: 2 pF
Anstiegs - / Abfallzeit: 0 3 ns贝50ΩAbschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1、3 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis + 100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis + 85°C
Gehause: Kunststoffgehause T 1¾
Aktiver Durchmesser: 500μm
最大der spektralen Empfindlichkeit: 800海里
Durchbruchspannung Vbd: 120 V - 210 V(萤石selektiert了)
Temperaturkoeffizient冯Vop毛皮konstante Verstarkung: 0、5 V /°C
Verstarkung: 100贝800海里
Empfindlichkeit: 50 A / W贝800海里
Dunkelstrom Id: typ。0,1 nA,马克斯。1 nA
Rauschstrom: 0 1 pA /√赫兹
Kapazitat: 2 pF
Anstiegs - / Abfallzeit: 0 3 ns贝50ΩAbschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1、3 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis + 100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis + 85°C
Gehause: Kunststoffgehause T 1¾