c30737mh - 500 - 90 - n - Si adp, 500µm LLC Gehause 900 nm optimiert
死于雪崩光电二极管(adp) c30737mh - 500 - 90 - n besitzt杯aktiven Durchmesser冯500µm einem无铅复合载体(LLC) Gehause和bietet optimierte Empfindlichkeit贝900海里。
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit说是500 nm和1000 nm
- Geringes Rauschen和好多schnelle Anstiegszeit麻省理工学院静脉Grenzfrequenz冯超级380 MHz
- Aktiver Durchmesser冯500μm optimiert毛皮maximale Empfindlichkeit贝900海里
- 无铅复合载体SMD Gehause (LLC)
Anwendungen:
- 激光雷达
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- 激光扫描仪
- Anwendungen、模杯kostengunstigen hochleistungsfahigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 500μm
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Durchbruchspannung Vbd: 180 V - 260 V(萤石selektiert了)
Temperaturkoeffizient冯Vop毛皮konstante Verstarkung: 1、3 V /°C
Verstarkung: 100贝900海里
Empfindlichkeit: 60 A / W贝800海里
Dunkelstrom Id: typ。0,1 nA,马克斯。1 nA
Rauschstrom: 0 1 pA /√赫兹
Kapazitat: 1 pF
Anstiegs - / Abfallzeit: 0 9 ns贝50ΩAbschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagertemperatur: -50°C bis + 100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis + 85°C
Gehause: 2 * 1, 75毫米top-looking FR4 Substrat麻省理工学院Epoxid-Verguss
Aktiver Durchmesser: 500μm
最大der spektralen Empfindlichkeit: 900海里
Durchbruchspannung Vbd: 180 V - 260 V(萤石selektiert了)
Temperaturkoeffizient冯Vop毛皮konstante Verstarkung: 1、3 V /°C
Verstarkung: 100贝900海里
Empfindlichkeit: 60 A / W贝800海里
Dunkelstrom Id: typ。0,1 nA,马克斯。1 nA
Rauschstrom: 0 1 pA /√赫兹
Kapazitat: 1 pF
Anstiegs - / Abfallzeit: 0 9 ns贝50ΩAbschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagertemperatur: -50°C bis + 100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis + 85°C
Gehause: 2 * 1, 75毫米top-looking FR4 Substrat麻省理工学院Epoxid-Verguss