Excelitas c30737mh - 230 - 80 - n Silizium-Avalanche-Photodiode (Si adp)
菩提树/ c30737mh - 230 - 80 - n

c30737mh - 230 - 80 - n - Si adp, 230µm LLC Gehause 800 nm optimiert

死c30737mh - 230 - 80 - n Silizium雪崩光电二极管(Si adp)将einem无铅复合载体(LLC) Gehause geliefert, besitzt杯aktiven Durchmesser冯230µm和bietet optimierte Empfindlichktei贝800海里。

Hauptmerkmale:

  • Hohe Empfindlichkeit说是500 nm和1000 nm
  • Geringes Rauschen和好多schnelle Anstiegszeiten超级阿莱Wellenlangen麻省理工学院静脉Grenzfrequenz冯超级1 5 GHz
  • Aktiver Durchmesser冯230μm optimiert毛皮maximale Emfindlichkeit贝800海里
  • LLC SMD Gehause

Anwendungen:

  • 激光雷达
  • Laserbasierte Entfernungsmessung
  • 激光扫描仪
  • Anwendungen、模杯kostengunstigen hochleistungsfahigen Detektor erfordern

Aktiver Durchmesser: 230μm
最大der spektralen Empfindlichkeit: 800海里
Durchbruchspannung Vbd: 120 V - 210 V(萤石selektiert了)
Temperaturkoeffizient冯Vop毛皮konstante Verstarkung: 0、5 V /°C
Verstarkung: 100贝800海里
Empfindlichkeit: 50 A / W贝800海里
Dunkelstrom Id: typ: 0 05 nA马克斯:0、5 nA
Rauschstrom: 0 1 pA /√赫兹
Kapazitat: 1 pF
Anstiegs - / Abfallzeit: 0, 2 ns贝50ΩAbschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1、5 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis + 100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis + 85°C
Gehause: 2 x1, 75毫米top-looking FR4 Substrat麻省理工学院Epoxid-Verguss(有限责任公司)

Aktiver Durchmesser: 230μm
最大der spektralen Empfindlichkeit: 800海里
Durchbruchspannung Vbd: 120 V - 210 V(萤石selektiert了)
Temperaturkoeffizient冯Vop毛皮konstante Verstarkung: 0、5 V /°C
Verstarkung: 100贝800海里
Empfindlichkeit: 50 A / W贝800海里
Dunkelstrom Id: typ: 0 05 nA马克斯:0、5 nA
Rauschstrom: 0 1 pA /√赫兹
Kapazitat: 1 pF
Anstiegs - / Abfallzeit: 0, 2 ns贝50ΩAbschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1、5 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis + 100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis + 85°C
Gehause: 2 x1, 75毫米top-looking FR4 Substrat麻省理工学院Epoxid-Verguss(有限责任公司)

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