Excelitas C30662 InGaAS Si adp
菩提树/ C30662EH-3

200µm C30662EH-3——InGaAs adp, 18 Gehause, kleine Apertur

死großflachige C30662EH-3 InGaAs雪崩光电二极管(adp) besitzt杯aktiven Durchmesser冯200µm和将einem hermetischen 18 Gehause麻省理工学院Glasfenster和kleiner Offnung geliefert。

死C30662EH-3是毛皮死Verwendung麻省理工学院der Wellenlange 1550海里optimiert和皮毛的巢穴Einsatz augensicheren Laser-Entfernungsmesssystemen geeignet。

Hauptmerkmale:

  • Großflachige InGaAS美国麻省理工学院200µm Durchmesser
  • Hermetisch versiegeltes TO-18-Gehause。Kleine Apertur。
  • Spektrale Empfindlichkeit: 1000 nm bis 1700海里
  • Geringes Rauschen和niedriger Dunkelstrom
  • Hohe Verstarkung和Quantenausbeute
  • Bandbreite großer als 850 MHz
  • Individuell angepasste Modifikationen moglich

Anwendungen:

  • Laser-Entfernungsmessung
  • Optische Kommunikation
  • Laserscannen和Bildgebung
  • Spektrometrie和Reflektometrie

Aktiver Durchmesser: 200µm
Durchbruchspannung: 40 V - 70 V
Temperaturkoeffizient: 0, 14 V /°C
Empfindlichkeit: 9、3 A / W贝1550海里
Dunkelstrom: 45 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0、7 pA /√赫兹
Kapazitat: 2、5 pF
Bandbreite: 850 MHz
Quantenausbeute: 75%贝1300 nm - 1550 nm)
Verstarkungsfaktor: 20
Gehause: 18
Fensteroffnung:克莱因0 8毫米
Fensterart:格拉斯

Aktiver Durchmesser: 200µm
Durchbruchspannung: 40 V - 70 V
Temperaturkoeffizient: 0, 14 V /°C
Empfindlichkeit: 9、3 A / W贝1550海里
Dunkelstrom: 45 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0、7 pA /√赫兹
Kapazitat: 2、5 pF
Bandbreite: 850 MHz
Quantenausbeute: 75%贝1300 nm - 1550 nm)
Verstarkungsfaktor: 20
Gehause: 18
Fensteroffnung:克莱因0 8毫米
Fensterart:格拉斯

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