c30659 - 1550 e - r2ah
InGaAs APD-Empfanger 200µm 8 Gehause 50兆赫,hohe Zerstorschwelle
Produkte der C30659联赛verfugen uber一张Silizium雪崩光电二极管(Si-APD)奥得河风景明信片InGaAs雪崩光电二极管(InGaAs-APD)麻省理工学院hybridem Vorverstarker。Das hermetische 8 Gehause ermoglicht杯感兴趣rauscharmen Betrieb。Unser莫德尔c30659 - 1550 r2ah beinhaltet一张毛皮1550海里optimierte C30662EH-InGaAs-APD冯Excelitas。
死C30659联赛zeichnet西奇的军队静脉设计麻省理工学院invertierendem Verstarker来自,韦尔奇als Ausgansstufe一张Emitterfolgerschaltung verwendet。
死皮这Modelle verwendeten Si-APD芯片也是在窝Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH和C30956EH祖法登死InGaAs-APD芯片在窝了ebenfalls Produkten C30645EH和C30662EH verwendet。Unsere Detektoren bieten一张hohe Empfindlichkeit说是830 nm和1550 nm和außerst schnelle Anstiegs——和Abfallzeiten uber窝gesamten Wellenlangenbereich。Der Vorverstarkerbereich des模块verfugt uber一张außerst rauscharme GaAs-FET-Frontpartie,模杯hoheren汪汪汪Transimpedanz-Betrieb als死regularen C30950-Serien冯Excelitas ausgelegt坚持。
- Systembandbreite: 50兆赫
- 好多niedrige Rauschaquivalentleistung (NEP)
- 150年fW /√赫兹贝1300海里
- 130年fW /√赫兹贝1550海里
- Spektrale Empfindlichkeit:最大的贝1550海里
- Typische Leistungsaufnahme: 150兆瓦
- ±5 V Betriebsspannung
- 50ΩAC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes 8 Gehause
- Hohe Zuverlassigkeit
- Systembandbreite: 50兆赫
- 好多niedrige Rauschaquivalentleistung (NEP)
- 150年fW /√赫兹贝1300海里
- 130年fW /√赫兹贝1550海里
- Spektrale Empfindlichkeit:最大的贝1550海里
- Typische Leistungsaufnahme: 150兆瓦
- ±5 V Betriebsspannung
- 50ΩAC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes 8 Gehause
- Hohe Zuverlassigkeit