c30659 - 1550 r2ah InGaAs APD-Empfanger冯Excelitas
菩提树/ c30659 - 1550 r2ah

c30659 - 1550 - r2ah -
InGaAs APD-Empfanger 200µm 8 Gehause 50 MHz

Produkte der C30659-Serie verfugen uber一张Silizium雪崩光电二极管(Si-APD)奥得河风景明信片InGaAs雪崩光电二极管(InGaAs-APD)麻省理工学院hybridem Vorverstarker。Das hermetische 8 Gehause ermoglicht杯感兴趣rauscharmen Betrieb。Unser莫德尔c30659 - 1550 r2ah beinhaltet一张C30662EH InGaAs-APD,死皮1550海里optimiert坚持。

死C30659联赛zeichnet西奇的军队静脉设计麻省理工学院invertierendem Verstarker来自,韦尔奇als Ausgansstufe一张Emitterfolgerschaltung verwendet。

死皮这Modelle verwendeten Si-APD芯片也是在窝Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH和C30956EH祖法登死InGaAs-APD芯片在窝了ebenfalls Produkten C30645EH和C30662EH verwendet。Unsere Detektoren bieten一张hohe Empfindlichkeit说是830 nm和1550 nm和außerst schnelle Anstiegs——和Abfallzeiten uber窝gesamten Wellenlangenbereich。Der Vorverstarker des模块verfugt超级杯außerst rauscharmen砷化镓场效应晶体管,Der汪汪汪杯Betrieb贝hoheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt坚持。

  • Systembandbreite: 50兆赫
  • 好多niedrige Rauschaquivalentleistung (NEP)
    • 150年fW /√赫兹贝1300海里
    • 130年fW /√赫兹贝1550海里
  • Spektrale Empfindlichkeit:最大的贝1550海里
  • Typische Leistungsaufnahme: 150兆瓦
  • ±5 V Betriebsspannung
  • 50ΩAC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
  • Hermetisch abgedichtetes 8 Gehause
  • Hohe Zuverlassigkeit

  • Systembandbreite: 50兆赫
  • 好多niedrige Rauschaquivalentleistung (NEP)
    • 150年fW /√赫兹贝1300海里
    • 130年fW /√赫兹贝1550海里
  • Spektrale Empfindlichkeit:最大的贝1550海里
  • Typische Leistungsaufnahme: 150兆瓦
  • ±5 V Betriebsspannung
  • 50ΩAC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
  • Hermetisch abgedichtetes 8 Gehause
  • Hohe Zuverlassigkeit

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