c30659 - 1060 e - r8bh Si-APD Empfanger, 0, 8毫米,8 Gehause, 200 MHz, hohe Zerstorschwelle
Produkte der C30659联赛verfugen uber一张Silizium雪崩光电二极管(Si-APD)奥得河风景明信片InGaAs雪崩光电二极管(InGaAs-APD)麻省理工学院hybridem Vorverstarker。Das hermetische 8 Gehause ermoglicht杯感兴趣rauscharmen Betrieb。Unser莫德尔c30659 - 1060 e - r8bh beinhaltet一张毛皮30954海里optimierte C1060EH Si-APD麻省理工学院einem aktiven Durchmesser冯·0 8毫米。
死C30659联赛zeichnet西奇的军队静脉设计麻省理工学院invertierendem Verstarker来自,韦尔奇als Ausgansstufe一张Emitterfolgerschaltung verwendet。
死皮这Modelle verwendeten Si-APD芯片也是在窝Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH和C30956EH祖法登死InGaAs-APD芯片在窝了ebenfalls Produkten C30645EH和C30662EH verwendet。Unsere Detektoren bieten一张hohe Empfindlichkeit说是830 nm和1550 nm和außerst schnelle Anstiegs——和Abfallzeiten uber窝gesamten Wellenlangenbereich。Der Vorverstarker des模块verfugt超级杯außerst rauscharmen砷化镓场效应晶体管,Der汪汪汪杯Betrieb贝hoheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt坚持。
- Systembandbreite: 200 MHz
- 好多niedrige Rauschaquivalentleistung (NEP)
- 55 fW /√赫兹贝900海里
- 100年fW /√赫兹贝1064海里
- Spektralbereich: 400 nm bis 1100海里,optimiert毛皮1060海里
- Typische Leistungsaufnahme: 150兆瓦
- ±5 V Betriebsspannung
- 50ΩAC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes 8 Gehause
- Hohe Zuverlassigkeit
- Systembandbreite: 200 MHz
- 好多niedrige Rauschaquivalentleistung (NEP)
- 55 fW /√赫兹贝900海里
- 100年fW /√赫兹贝1064海里
- Spektralbereich: 400 nm bis 1100海里,optimiert毛皮1060海里
- Typische Leistungsaufnahme: 150兆瓦
- ±5 V Betriebsspannung
- 50ΩAC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes 8 Gehause
- Hohe Zuverlassigkeit