80µm C30645EH——InGaAs adp,基地18 Gehause
死großflachige C30645EH这InGaAs雪崩光电二极管麻省理工学院einem aktiven Durchmesser冯80µm einem hermetischen 18 Gehause麻省理工学院kleiner Siliziumapertur。
死C30645EH冯Excelitas是毛皮死Wellenlange 1550海里optimiert和皮毛的巢穴Einsatz augensicheren Laserentfernungsmessern geeignet。
Hauptmerkmale:
- Großflachige InGaAS美国麻省理工学院80µm Durchmesser
- Hermetisches TO-18-Gehause;kleine Siliziumapertur
- Spektrale Empfindlichkeit: 1100 nm bis 1700海里
- Geringes Rauschen和niedriger Dunkelstrom
- Hohe Verstarkung和Quantenausbeute
- Bandbreite großer als 1000 MHz
- Individuell angepasste Modifikationen moglich
Anwendungen:
- 激光Entfernungsmessung
- Optische Kommunikation
- Laserscannen和Bildgebung
- Spektrometrie和Reflektometrie
Aktiver Durchmesser: 80µm
Durchbruchspannung: 40 V - 70 V
Temperaturkoeffizient: 0, 14 V /°C
Empfindlichkeit: 9、3 A / W贝1550海里
Dunkelstrom: 3 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0, 2 pA /√赫兹
Kapazitat: 1、25 pF
Bandbreite: 1000 MHz
Quantenausbeute: 75%贝1300 nm - 1550 nm)
Verstarkungsfaktor: 20
Gehause: 18
Fensteroffnung:克莱因0 8毫米
Fensterart: Silizium sperrt向Licht < 1100海里来自
Aktiver Durchmesser: 80µm
Durchbruchspannung: 40 V - 70 V
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Empfindlichkeit: 9、3 A / W贝1550海里
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Spektraler Rauschsstrom: 0, 2 pA /√赫兹
Kapazitat: 1、25 pF
Bandbreite: 1000 MHz
Quantenausbeute: 75%贝1300 nm - 1550 nm)
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