C30642GH-LC InGaAs销、2毫米、5
死C30642GH-LC这großflachige InGaAs-PIN-Photodiode和verwendet杯芯片麻省理工学院einem aktiven Durchmesser冯·2 0毫米einem 5 - Gehause麻省理工学院flachem Glasfenster。死光电二极管bietet一张hohe Quantenausbeute冯800 nm bis 1700海里。您zeichnet西奇的军队一张außerst niedrige Kapazitat来自,死努尔死Halfte der Kapazitat des Standardtyps betragt和大刀das Doppelte der Bandbreite·冯·3 dB, hohe Empfindlichkeit和hohen Shunt-Widerstand和港口杯niedrigen Dunkelstrom aufweist。Typische Gerate weisen【周伟森】他als 1% Nichtlinearitat和一张Homogenitat innerhalb冯2%超级死aktive基地des Detektors汪汪汪。
Hauptmerkmale:
- Ultra-niedrige Kapazitat
- Hohe Empfindlichkeit贝1300 nm和1550 nm
- Durchmesser der aktiven基地:2 0毫米
- Hohe Linearitat超级杯großen dynamischen德国
- 在verschiedenen Erhaltlich robusten TO-Paketen
- Anpassungen moglich (z。b . TEC)
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Optische Leistungsmessgerate
- Glasfaser-Prufkommunikation
- Nah-IR-Spektroskopie
- Laserstrahlprofil Stationen
- Messinstrumente
- 激光雷达
Durchbruchspannung: > 15 V
Betriebsspannung: 5 V
Vollstandig erschopfte Kapazitat: 36 pF
Dunkelstrom(贝5 v): 2 0 nA
Dunkelrauschen: 0, 03 pA /√赫兹
Gehause: 5
Hohe Empfindlichkeit贝1300 nm和1550 nm
Empfindlichkeit:
- 0,20 A / W贝850海里
- 0,90 A / W贝1300海里
- 1,05 A / W贝1550海里
Durchbruchspannung: > 15 V
Betriebsspannung: 5 V
Vollstandig erschopfte Kapazitat: 36 pF
Dunkelstrom(贝5 v): 2 0 nA
Dunkelrauschen: 0, 03 pA /√赫兹
Gehause: 5
Hohe Empfindlichkeit贝1300 nm和1550 nm
Empfindlichkeit:
- 0,20 A / W贝850海里
- 0,90 A / W贝1300海里
- 1,05 A / W贝1550海里