Phototransistoren

麻省理工学院Phototransistoren信德Photodioden integrierter Verstarkung。Der Ausgangsstrom进行光电晶体管将死的基础下进行eingespeist herkommlichen晶体管。这张Photodioden-Verstarkerkombinationen dienen民主党Zweck Photodioden杯definierten Verstarkungsfaktor祖茂堂applizieren。死typische Verstarkung进行光电晶体管萤石冯100 bis超级1500 reichen。

有Anwendungen erfordern一张hohere Leistung als您·冯·静脉光电二极管allein erzeugt了萤石。Zwar萤石das信号静脉光电二极管的军队一张走读生Schaltung verstarkt了萤石,jedoch是模具不总是kosteneffektiv。在solchen堕落stellen Phototransistoren一张kostengunstigere替代dar。

Silizium-Fototransistor

VTT9812FH Si-Phototransistor, 0192毫米2

在einem Der VTT9812FH是静脉Silizium-Phototransistor infrarotblockierenden, flachen T 1¾Kunststoffgehause。这位Silizium-Phototransistor bietet一张hervorragende Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich。
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Excelitas VTT9814FH Silizium-Fototransistor

VTT9814FH Si-Phototransistor, 0192毫米2,hohe Verstarkung

在einem Der VTT9814FH是静脉Silizium-Phototransistor infrarotblockierenden, flachen T 1¾Kunststoffgehause。这位光电晶体管bietet一张hervorragende Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich。
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