高性能InGaAs adp

死高性能InGaAs Avalanche-Photodioden (adp) der Serien C30644, C30645和C30662信德schnelle和großflachige Photodioden basierend auf静脉InGaAs / lnP合写。这张Dioden bieten hohe Quantenausbeute, hohe Empfindlichkeit和geringes Rauschen im Spektralbereich说是1100 nm和1700 nm。您信德毛穴Einsatz贝静脉Wellenlange冯1550海里optimiert和理想的皮毛窝Einsatz augensicheren激光Entfernungsmesssystemen geeignet。

Excelitas-Katalog:光子检测解决方案
Hochleistungsfahige InGaAs-Avalanche-Photodioden

Produktliste

Excelitas InGaAs-APD C30645麻省理工学院Keramikmitnehmer
Teilenummer
C30645ECERH

C30645ECERH InGaAS adp, 80µm Keramiksubstrat

死großflachige C30645ECERH InGaAs雪崩光电二极管(adp) besitzt杯aktiven Durchmesser冯80µm auf einem keramischen Substrat。
麻省理工学院Excelitas C30645 InGaAs-APD Keramiktrager和kleiner闪锌矿
Teilenummer
C30645EH

80µm C30645EH——InGaAs adp,基地18 Gehause

死großflachige C30645EH这InGaAs雪崩光电二极管麻省理工学院einem aktiven Durchmesser冯80µm einem hermetischen 18 Gehause麻省理工学院kleiner Siliziumapertur。
Excelitas c30645l - 080 Großflachige InGaAs-Avalanche-Photodiode
Teilenummer
c30645l - 080

80年c30645l - 080 InGaAs adp,嗯,SMD-Gehause

死c30645l - 080 Avalanche-Photodioden冯Excelitas信德schnelle, großflachige InGaAs-APDs,麻省理工学院(hoh Quantenausbeute和hoh Empfindlichkeit贝geringem Rauschen im Spektralbereich说是1000 nm和1700 nm。这张Photodioden weisen【周伟森】杯aktiven Durchmesser冯80µm auf einem kompakten SMD-Gehause。
Keramischer Mitnehmer
Teilenummer
C30662ECERH

C30662ECERH InGaAs adp, 200µm Keramiksubstrat

死C30662ECERH InGaAs雪崩光电二极管(adp) bietet杯aktiven Durchmesser冯200µm auf einem keramischen Substrat。
Excelitas InGaAs-APD C30662 Keramiktrager
Teilenummer
C30662ECERH-1

C30662ECERH-1——InGaAs-APD 200µm Keramiksubstrat

死großflachige C30662ECERH-1 InGaAs雪崩光电二极管(adp) besitzt杯aktiven Durchmesser冯200µm和将auf einem keramischen Substrat麻省理工学院δV > 4 V geliefert。
Excelitas C30645 InGaAs-APD麻省理工学院Keramiktrager和kleiner闪锌矿,到18
Teilenummer
C30662EH

200µm C30662EH——InGaAs adp, 18 Gehause

Das莫德尔C30662EH这großflachige InGaAs雪崩光电二极管(adp)、besitzt杯aktiven Durchmesser冯200µm和将einem hermetischen 18 Gehause麻省理工学院Glasfenster和großer Apertur geliefert。
Keramischer Mitnehmer和18麻省理工学院kleiner Offnung
Teilenummer
C30662EH-1

200µm C30662EH-1——InGaAs adp, 18 Gehause

死C30662EH-1 InGaAs雪崩光电二极管(adp) besitzt杯aktiven Durchmesser冯200µm einem hermetischen 18 Gehause麻省理工学院großer Apertur和是δV selektiert票。
Excelitas C30662 InGaAS Si adp
Teilenummer
C30662EH-3

200µm C30662EH-3——InGaAs adp, 18 Gehause, kleine Apertur

死großflachige C30662EH-3 InGaAs雪崩光电二极管(adp) besitzt杯aktiven Durchmesser冯200µm和将einem hermetischen 18 Gehause麻省理工学院Glasfenster和kleiner Offnung geliefert。
Excelitas c30662l - 200 Großflachige InGaAs-Avalanche-Photodiode
Teilenummer
c30662l - 200

200年c30662l - 200 InGaAs adp,嗯,SMD-Gehause

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美国C30733BQC-01 InGaAs
Teilenummer
C30733BQC-01

C30733BQC-01 InGaAs adp, 30µm纤维辫子与FC / APC连接器

的Excelitas C30733BQC-01雪崩光电二极管(adp)是一种高速、高增益、低噪声InGaAs光子探测器。这InGaAs adp的特色的独特组合高增益和快速恢复时间加上低噪声性能使它适合高端检测设备。与40岁的典型操作获得C30733BQC-01设定一个新的趋势在高速需要一流的应用程序1000 nm和1700 nm之间的信噪比。bob投注体育信赖吗
Excelitas C30733EH-1 InGaAs adp, 30µm, 18 Niedrigprofil
Teilenummer
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C30733EH-1 InGaAs adp, 30µm 18 Niedrigprofil

死kleinflachige C30733EH-1 InGaAs雪崩光电二极管bietet杯aktiven Durchmesser冯30µm和将einem hermetischen TO-18-Gehause geliefert。死C30733EH-1是毛穴Wellenlangenbereich冯1310 nm bis 1650海里optimiert和eignet西奇皮毛High-End-Prufgerate,贝denen一张好多schnelle Ansprech——和Erholungszeit erforderlich坚持,是不是z。b . der Telekommunikation otdr)。