麻省理工学院Si-Photodioden schneller Ansprechzeit

Unsere Silizium-Photodioden der VTP-Baureihe bieten一张niedrige Sperrschichtkapazitat schnelle Reaktionszeiten。您可以在unt Sperrvorspannung betrieben了,嗯死Kapazitat祖茂堂verringern和死Ansprechgeschwindigkeit魏特祖erhohen奥得河im Photovoltaik-Modus Anwendungen,贝denen死Ansprechgeschwindigkeit unkritisch坚持。麻省理工学院ihrem ausgezeichneten Ansprechverhalten im IR-Spektralbereich信德这Sensoren肠道auf死Infrarot-LED-VTE-Serie冯Excelitas abgestimmt。

VTP-Photodioden冯Excelitas——《Eigenschaften
Anwendungshinweis祖茂堂施耐尔ansprechenden Silizium-Photodioden冯Excelitas
麻省理工学院Si-Photodioden schneller Ansprechzeit

Produktliste

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VTP1012H

VTP1012H Si-PD,至46 1 6毫米2

死VTP1012H这Silizium-Photodiode在einem hermetischen TO-46-Gehause麻省理工学院flachem Eintrittsfenster。麻省理工学院静脉hohen Empfindlichkeit im sichtbaren和nahen IR-Spektralbereich怀斯特这光电二极管窗户的sehr hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom和一张niedrige Sperrschichtkapazitat汪汪汪。
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VTP1112H

VTP1112H Si-PD,至46 Linsengehause 1 6毫米2

死VTP1112H这Silizium-Photodiode麻省理工学院erhohter Empfindlichkeit im sichtbaren和Nah-IR-Spektralbereich在einem hermetischen TO-46-Linsengehause。这张光电二极管怀斯特杯sehr hohen Shuntwiderstand,靠窗户niedrigen Dunkelstrom, niedrige Sperrschichtkapazitat和一杯schmalen Erfassungsbereich汪汪汪。
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VTP1188SH

VTP1188SH - Si PD Keramiktrager麻省理工学院Kunststofflinse 11毫米2

死VTP1188SH这großflachige Silizium-Photodiode auf einem Keramiktrager麻省理工学院einem Kunstoffgehause Linsenform。这张光电二极管bietet一张hohe Empfindlichkeit im sichtbaren和im nahen IR-Bereich,贝hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom和geringer Sperrschichtkapazitat。
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VTP1232FH

VTP1232FH Si-PD, T1 3/4, 2326毫米2

Das莫德尔VTP1232FH这Silizium-Photodiode在einem flachen和transparenten T1¾-Gehause。这张光电二极管bietet一张hohe Empfindlichkeit im sichtbaren和im nahen IR-Bereich,贝hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom和geringer Sperrschichtkapazitat。
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VTP1232H

VTP1232H Si-PD, T1 3/4麻省理工学院integrierter Optik, 2326毫米2

Das莫德尔VTP1232H这Silizium-Photodiode在einem transparenten T1¾-Gehause麻省理工学院integrierter林斯。死Silizium-Photodiode VTP1232H bietet一张hohe Empfindlichkeit im sichtbaren和im nahen IR-Bereich贝hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom和geringer Sperrschichtkapazitat。
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VTP1332FH

IR-durchlassig VTP1332FH Si-PD, T1 3/4, 2326毫米2

Das莫德尔VTP1332FH这Silizium-Photodiode在einem flachen T1¾-Gehause麻省理工学院Blockung des sichtbaren Spektralbereichs。这张光电二极管怀斯特杯sehr hohen Shuntwiderstand,靠窗户niedrigen Dunkelstrom和一张niedrige Sperrschichtkapazitat汪汪汪。
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VTP1332H

VTP1332H Si-PD, T1 3/4麻省理工学院integrierter林斯,IR-durchlassig, 2326毫米2

Das莫德尔VTP1332H这Silizium-Photodiode在einem T1¾-Linsengehause麻省理工学院integrierter林斯和Blockung des sichtbaren Spektralbereichs。这张光电二极管怀斯特杯sehr hohen Shuntwiderstand,靠窗户niedrigen Dunkelstrom和一张niedrige Sperrschichtkapazitat汪汪汪。
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VTP3310LAH

VTP3310LAH Si-PD, T1 Gehause麻省理工学院integrierter林斯,0684毫米2

死VTP3310LAH这Silizium-Photodiode在einem langen transparenten T1-Linsengehause麻省理工学院integrierter Optik。这张光电二极管bietet静脉hohe Empfindlichkeit im sichtbaren和nahen IR-Spektralbereich和怀斯特杯sehr hohen Shuntwiderstand,靠窗户niedrigen Dunkelstrom和一张niedrige Sperrschichtkapazitat汪汪汪。
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VTP3410LAH

VTP3410LAH Si-PD, T1 Kunststoffgehause麻省理工学院integrierter林斯,IR-durchlassig 0684平方毫米

死VTP3410LAH这Silizium-Photodiode麻省理工学院optischer Blockung毛皮向发亮,langem T1-Gehause麻省理工学院林斯和erhohter Empfindlichkeit im nahen IR-Spektralbereich。这张光电二极管怀斯特杯sehr hohen Shuntwiderstand,靠窗户niedrigen Dunkelstrom和一张niedrige Sperrschichtkapazitat汪汪汪。
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VTP4085H

VTP4085H——Si-PD Keramik 21毫米2

死VTP4085H这Silizium-Photodiode auf einem Keramiksubstrat, das麻省理工学院Epoxid beschichtet坚持和一张schnelle Reaktion贝niedrigem Dunkelstrom bietet。
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VTP4085SH

VTP4085SH——Si-PD Keramik, 21平方毫米,niedriger Dunkelstrom

死VTP4085SH这Silizium-Photodiode Keramiksubstrat汪汪汪,das麻省理工学院Epoxid beschichtet坚持,和bietet静脉快速地Ansprechverhalten贝niedrigem Dunkelstrom。
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VTP5050H

VTP5050H Si-PD, 5, 7, 45毫米2

死VTP5050H这Silizium-Photodiode在einem hermetischen TO-5-Gehause和bietet schnelle Reaktion贝niedrigem Dunkelstrom。
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VTP6060H

VTP6060H Si-PD, 8、20日6毫米2

死VTP6060H这großflachige Silizium-Photodiode在einem hermetischen TO-8-Gehause麻省理工学院flachem窗口。这张光电二极管bietet杯weiten Erfassungsbereich贝schneller Reaktionszeit和niedrigem Dunkelstrom。
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VTP7110H

VTP7110H——Si-PD Bauform side-looker“麻省理工学院integrierter Optik, 0684平方毫米

死VTP7110H这Silizium-Photodiode在einem transparenten Gehause毛皮seitlichen Lichteinfall麻省理工学院schnellem Ansprechverhalten, niedrigem Dunkelstrom和weitem Erfassungsbereich。
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VTP8350H

VTP8350H——Si-PD Keramik 7 45平方毫米

死VTP8350H这Silizium-Photodiode auf einem麻省理工学院Epoxid beschichteten Keramiksubstrat。这张光电二极管bietet杯weiten Erfassungsbereich贝schneller Reaktionszeit和niedrigem Dunkelstrom。
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VTP8440H

VTP8440H——Si-PD Keramik 5 16平方毫米

死VTP8440H这Silizium-Photodiode auf einem Keramiksubstrat麻省理工学院8毫米Durchmesser das麻省理工学院transparentem Kunststoff beschichtet坚持。这张光电二极管bietet杯weiten Erfassungsbereich贝schneller Reaktionszeit和einem niedrigen Dunkelstrom。
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VTP8740STRH

VTP8740STRH——Si-PD SMT-Seitenmontage 5269平方毫米

死VTP8740STRH这Silizium-Photodiode在einem transparenten oberflachenmontierbaren Kunststoffgehause麻省理工学院静脉integrierten林斯。这张光电二极管bietet杯weiten Erfassungsbereich贝schneller Reaktionszeit和niedrigem Dunkelstrom。