Avalanche-Photodioden
优异的雪崩光电二极管(APD) -硅(Si)和铟镓砷(InGaAs)材料[j]。Si-APDs decken den Spektralbereich on 400 nm / 1100 nm ab, während die InGaAs-APDs den Bereich on 950 nm / 1550 nm abdecken。Eine APD verf
APDs komstelle von pin - photodi二极管在安文登根zum Einsatz上的应用[j]。Anwendungen ntzlich, bei denen das Rauschen des Verstärkers höher以及das Detektorrauschen einer vergleichbaren PIN光电二极管。
高性能硅apd
“可达通”硅APDs在德国的性能和性能研究中得到了广泛的应用，在400 nm和1100 nm的光谱分析中得到了广泛的应用。disese Si-APD zeichnen sich durch gergeringrauschen, hohe Quantenausbeute and hohoVerstärkung bei…
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UV优化，生长ße apd
Die UV optimierten硅雪崩光电二极管(Si APD) mit großer aktiver Fläche sind f r den Einsatz in einer Vielzahl von breitbandigen Anwendungen mit sehr geringen Lichtleistungen vorgesen, Die den Spektralbereich von unter400 nm与 ber 700 nm abdecken。Diese rauscharmen, kapazitätsarmen和hochverstärkenden Si APD在Flat-Pack-Gehäusen erhältlich…
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混合光学APD-Empfängermodule
Die hybriden optischen APD-Empfängermodule von Excelitas besteen as einem fotodetector (PIN oder APD) and einem Transimpedanzverstärker in selben, hermetisch abgeteten, Gehäuse。Verstärker und photodetector im gleichen Gehäuse zu haben, ermöglicht eine rauscharme Aufnahme aus der Umgebung and reduziert…
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Kosteneffiziente Silizium APDs für die Großserienfertigung
Unsere APDs der Serie C30724 bieeine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 800 nm bis 950 nm und sind so konzipiert, dass sie die Anforderungen in der gros ßserienfertigung bei gutem Preis-/Leistungsverhältnis erf llen。模具C30724EH在einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert。模具C30724EH-2第1线修改为TO-18，第1线修改为905 nm Schmalbandpass…
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APD-Quadranten
Die Avalanche-Photodioden (APD)-Arrays and -Quadranten der Excelitas c30927 - family verwenden eine doppelt- diffdierte“达通”结构，Die f优化Leistung Totraum zwischen den pixelen eliminiert。在400 nm - 1000 nm的范围内，采用了一种特殊的结构设计方法。Drei verschiedene Varianten…
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高性能InGaAs apd
Die高性能InGaAs雪崩式光电二极管(apd)系列C30644, C30645和C30662，光导管和großflächige光电二极管的基本结构，更先进的InGaAs/lnP结构。光谱光谱分析:光谱光谱分析:1100nm和1700nm。她是个乐观主义者……
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Optimierte Si-APDs f r 1064nm
Die fr1064 nm Wellenlänge optimierten Si APDs (C30954EH, C30955EH和C30956EH)是根据Verwendung - edipelt diffelent“Reach-through”- struckturhergestellt制造的。达斯设计公司设计的光电二极管是一种非常先进的技术，它采用了一种非常先进的技术。
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