雪崩二极管
Excelitas提供硅(Si)和InGaAs材料的雪崩光电二极管(apd)。Si apd的光谱范围为400 nm ~ 1100 nm, InGaAs apd的光谱范围为950 nm ~ 1550 nm。雪崩光电二极管(APD)提供比标准光电二极管更高的灵敏度，用于极低强度光(LLL)检测和光子计数。
使用apd代替PIN光电探测器将在许多应用中提高灵敏度。bob投注体育信赖吗一般来说，apd在放大器噪声高的应用中是有用的，例如，比PINbob投注体育信赖吗光电检测器中的噪声高得多。
高性能Si apd
高性能后入口“通达”硅apd在成本和性能方面提供了最佳折衷，适用于需要从400纳米到1100纳米的高速和低噪声光子检测的应用。bob投注体育信赖吗这些Si apd具有低噪声，高量子效率和高增益的特点，同时…
阅读更多
大面积紫外线增强apd
大面积紫外增强硅雪崩光电二极管(Si apd)用于各种宽带低光应用，覆盖光谱范围从400到700纳米以上。bob投注体育信赖吗这些低噪声、低电容和高增益的Si apd采用扁平封装。
阅读更多
混合光APD接收模块
Excelitas混合光学APD接收模块由一个光电探测器(PIN或APD)和一个跨阻放大器组成，封装在相同的密封封装中。将放大器和光电探测器放在同一个封装中，可以从周围环境中获得低噪声，并减少…
阅读更多
高容量、高性价比的Si apd
我们的C30724系列apd在800至950 nm的波长范围内提供高响应性，旨在满足大批量和低成本应用的需求。bob投注体育信赖吗C30724EH是在一个密封的TO-18罐。C30724EH-2是一款改进的TO-18，内置905nm窄带通…
阅读更多
adp象限
Excelitas C30927系列雪崩光电二极管(APD)阵列和象限采用双扩散“通达”结构，基本上消除了像素之间的死区，以获得最佳性能。这种结构在400-1000纳米处提供超高灵敏度。三种不同的变体是……
阅读更多
高性能InGaAs apd
高性能InGaAs雪崩光电二极管(apd) C30644, C30645和C30662系列是高速，大面积InGaAs/lnP雪崩光电二极管。这些器件在1100 nm到1700 nm的光谱范围内提供高量子效率、高响应性和低噪声。它们被优化了……
阅读更多
1064nm长波增强型Si apd
1064nm长波增强型Si apd (C30954EH、C30955EH和C30956EH)采用双扩散“通达”结构制成。这些光电二极管的设计使得它们的长波响应(即bbb900 nm)得到了增强，而不会引入任何不良特性....
阅读更多